时间:2021-06-11 07:05:40
1、填空题 （12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为? ▲?。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为? ▲?。在四大晶体类型中，GaN属于? ▲?晶体。
⑵铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有? ▲?的原子或离子
⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是? ▲?。
②SO2分子的空间构型为? ▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为? ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为? ▲?。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是? ▲?。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有? ▲?。
a．配位键? b．极性键? c．离子键? d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如上图所示，其中Cl原子的配位数为? ▲?。
2、选择题 石墨能与熔融金属钾作用，形成石墨间隙化合物，K原子填充在石墨各层碳原子中，比较常见的石墨间隙化合物是青铜色的化合物，其化学式可写作CxK，平面结构如图所示．则x值为（ ）
A．8
B．12
C．24
D．60
3、选择题 金属的下列性质中，不能用电子气理论加以解释的是( )
A．易导电
B．易导热
C．有延展性
D．易锈蚀
4、填空题 某离子晶体晶胞如图所示，阳离子 X（●）位于立方体的顶点， 阴离子Y（○）位于立方体的中心，试分析
（1）晶体中Y的配位数是___________； X的配位数是___________；该晶体的化学式为___________。
（2）晶体中在每个X周围与它最接近且距离相等的X共有___________个。
（3）该晶体的摩尔质量为Mg／mol，晶体密度为ρg／cm3，阿伏加德罗常数为NA，则晶体中两个距离最近的X中心间的距离为___________cm。
5、计算题 下图是超导化合物----钙钛矿晶体中最小重复单元(晶胞)的结构。请回答：
(1)该化合物的化学式为?。
(2)在该化合物晶体中，与某个钛离子距离最近且相等的其他钛离子共有?个。
(3)设该化合物的式量为M，密度为ag/cm3，阿伏加德罗常数为NA，则晶体中钙离子与钛离子之间的最短距离为?。