时间:2017-09-25 08:49:19
1、实验题 如图是多用表的刻度盘，当选用量程为50mA的电流档测量电流时，表针指于图示位置，则所测电流为______________mA；若选用倍率为“×100”的电阻档测电阻时，表针也指示在图示同一位置，则所测电阻的阻值为______________Ω。如果要用此多用表测量一个约2.0×104Ω的电阻，为了使测量比较精确，应选的欧姆档是______________（选填“×10”、“×100”或“×1K”）。换档结束后，实验操作上首先要进行的步骤是______________。
参考答案：30.7-30.9；1.5×103，×1K；将红黑表笔短接，进行欧姆挡调零
本题解析：
本题难度：一般
2、简答题 金属材料的电阻率通常随温度的升高而增大，半导体材料的电阻率随温度的升高而减少．某同学需要研究某导电材料的导电规律，他用该种导电材料制作为电阻较小的线状元件Z做实验，测量元件Z中的电流随两端电压从零逐渐增大过程中的变化规律．
（1）他应选用图所示的______电路进行实验
（2）实验测得元件Z的电压与电流的关系如下表所示．根据表中数据，判断元件Z是______?（填“金属材料”或“半导体材料”）；
| U/V | 0 | 0.40 | 0.60 | 0.80 | 1.00 | 1.20 | 1.50 | 1.60 I/A 0 0.20 0.45 0.80 1.25 1.80 2.81 3.20 |
参考答案：（1）电压从零开始变化，滑动变阻器应采用分压接法；待测电阻阻值很小，电压表内阻远大于待测电阻阻值，电流表应采用外接法，由图1所示电路图可知，实验应采用A所示电路．
（2）由表中实验数据可知，随元件电压增大，通过元件的电流增大，元件的实际功率增大，元件温度升高；由欧姆定律可知，随元件两端电压增大，元件电阻减小，因此元件是半导体材料．
（3）由图2所示螺旋测微器可知，固定刻度示数为1.5mm，可动刻度示数为49.0×0.01mm=0.490mm，元件的直径为1.5mm+0.490mm=1.990mm（1.989～1.991均正确）．
（4）由图3可知，元件Z与电阻R串联，电流表测电路电流，由表中实验数据可知，电流为1.25A时，元件两端电压为1.00V，电流为0.80A时，元件两端电压为0.80V，由闭合电路欧姆定律可得：E=I（R+r）+UZ，
E=1.25×（2+r）1.00，E=1.25×3.6+r）+0.80，解得，电源电动势E=4.0V，内阻r=0.4Ω．
故答案为：（1）A；（2）半导体材料；（3）1.990；（4）4.0；0.4．
本题解析：
本题难度：一般
3、简答题 如图所示，是一个使电子束偏转的装置．电子枪从M板的左边缘连续发射一定速度的电子．电源电动势为E，内阻忽略不计．M、N为两个水平放置的极板，极板的长度为L，两极板间的距离为d．荧光屏距极板右边缘为3L．电子的质量为m，电荷量为e，其重力可忽略不计．当滑片P位于滑动变阻器的a端时，电子恰好从N板的右边缘飞出．若只将滑片P移至滑动变阻器的中点，电子能飞出电场，并打到荧光屏上的Q点，求OQ的距离．
参考答案：
滑片P位于a端时，电子在板间做类平抛运动．加速度为a，运动时间为t，有：
d=12at2
滑片P位于变阻器中点时，板间电压为：
U=E2
电子在板间仍做类平抛运动为：
a′=Ee2dm=a2
t′=t，得：y1=12a′t2=d2
电子飞出电场后，做匀速直线运动
tanφ=vyv0=y23L
vy=a′t=EeL2dmv0
解得：y2=3d
OQ=y1+y2=72d
答：OQ的距离为72d
本题解析：
本题难度：一般
4、选择题 如图所示是据某次实验记录的数据画出U—I图象，下列关于这个图像的说法中正确的是（?）
A．待测电源的电动势 是3.0V
B．横轴截距表示短路电流，值为0.6A
C．待测电源内电阻为0.5Ω
D．待测电源内阻为1Ω
参考答案：AD
本题解析：根据
，可知图线的纵截距表示电源电动势，所以待测电源的电动势 是3.0V，故A正确
横轴截距表示路端电压为2.2V时的电流值，为0.6A，故B错误
待测电源内电阻为
，故C错误D正确
故选AD
本题难度：一般
5、选择题 如图所示，一个质量为m、带电荷量为+q的物体处于场强按E=kt规律（k为大于零的常数，取水平向左为正方向）变化的电场中，物体与绝缘竖直墙壁间的动摩擦因数为μ，当t=0时，物体由静止释放，若最大静摩擦力等于滑动摩擦力，且电场空间和墙面均足够大，下列说法正确的是 
[? ]
A．物体开始运动后加速度先增加后保持不变
B．物体开始运动后速度先增加后保持不变
C．当摩擦力大小等于物体所受重力时，物体运动速度可能最大也可能最小
D．经过时间
物体在竖直墙壁上的位移达最大值
参考答案：C
本题解析：
本题难度：一般