时间:2017-09-26 11:22:24
1、选择题 一闭合线圈置于磁场中，若磁感应强度B随时间变化的规律如图乙所示，则图中能正确反映线圈中感应电动势E随时间t变化的图象是 
[? ]
A．
B．
C．
D．
参考答案：D
本题解析：
本题难度：一般
2、计算题 如图所示，水平面上有两根相距0.5m的足够长的平行金属导轨MN和PQ，它们的电阻可忽略不计，在M和P之间接有阻值为R的定值电阻.导体棒ab长l＝0.5m，其电阻为r，与导轨接触良好.整个装置处于方向竖直向上的匀强磁场中，磁感应强度B＝0.4T.现使ab以v＝10m/s的速度向右做匀速运动. 
（1）ab中的感应电动势多大？（4分）
（2）若定值电阻R＝3.0Ω，导体棒的电阻r＝1.0Ω，则电路中的电流多大？（4分）
参考答案：2.0V,0.5A
本题解析：1）ab中的感应电动势
E＝Bl v?①
代入数值，得E＝2.0V?②
（2）由闭合电路欧姆定律，回路中的电流
?③
代入数值，得I＝0.5A?④
点评：导体棒在匀强磁场中沿水平导轨做匀速运动，棒切割磁感线产生电动势，导致电路中出现感应电流，棒受到安培力作用，由右手定则可确定安培力的方向．由棒中的感应电动势根据殴姆定律可求出电路中的电流及R消耗的功率．
本题难度：一般
3、选择题 霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，磁场方向沿x轴正方向，磁感应强度B随x的变化关系为B=B0+kx（B0、k均为大于零的常数）．薄形霍尔元件的工作面垂直于光轴，通过的电流I方向沿z轴负方向，霍尔元件沿x轴正方向以速度v匀速运动．要使元件上、下表面产生的电势差变化得快，可以采取的方法是（ ）
A．增大I
B．增大B0
C．减小k
D．减小v
参考答案：最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡，设霍尔元件的上下表面的间距为d，有：
qUd=qvB
电流的微观表达式为：
I=nqvS
联立解得：
U=BdInqS ①
A、由①式，U∝I；增加电流时，元件上、下表面产生的电势差变化得快；故A正确；
B、C、D、由①式，U∝B；霍尔元件沿x轴正方向以速度v匀速运动，要使元件上、下表面产生的电势差变化得快，则需要磁感应强度变化加快；由于B=B0+kx，根据可以通过增加k或v来使元件上、下表面产生的电势差变化得快；故B错误，C错误，D错误；
故选：A．
本题解析：
本题难度：简单
4、简答题 如图所示，平行金属导轨的电阻不计，ab、cd的电阻均为R，长为l，另外的电阻阻值为R，整个装置放在磁感强度为B的匀强磁场中，当ab、cd以速率v向右运动时，通过R的电流强度为多少？
参考答案：由题意可知，两棒切割磁感线产生感应电动势，由法拉第电磁感应定律，两棒产生感应电动势均为：
E=Blv；
相当于两电源并联后再与电阻串联，根据闭合电路欧姆定律，则有：
I=ER+R2=2Blv3R；
答：通过R的电流强度为2Blv3R．
本题解析：
本题难度：一般
5、计算题 (12分)如图所示，平行且足够长的两条光滑金属导轨，相距L＝0.5m，与水平面夹角为θ＝30°，导轨电阻不计，整个导轨处在垂直导轨平面向上的匀强磁场中，磁感应强度B＝0.4T，垂直导轨放置两金属棒ab和cd，电阻均为R＝0.1Ω，ab棒质量为m＝0.1 kg，两金属棒与金属导轨接触良好且可沿导轨自由滑动．现ab棒在恒定外力F作用下，以恒定速度v＝3 m/s沿着平行导轨向上滑动，cd棒则保持静止，试求： (取g＝10m／s2)
（1）金属棒ab产生的感应电动势大小及线圈中的感应电流大小；
（2）拉力F的大小；
（3）cd棒消耗的功率。
参考答案：（1）3A（2）1.1N（3）0.9W
本题解析：（1）?由法拉第电磁感应定律可知，导体棒切割磁感线产生的感应电动势为E=BLv=0.4×0.5×3V=0.6V?（2分）
由欧姆定律可知
?（2分）
（2） 对ab棒：
?（4分）
（3） cd棒上的电热：?
（4分）
点评：本题难度中等，对于电磁感应与力学的结合一直是高考的重点问题，当导体棒匀速运动时导体棒受力平衡
本题难度：简单