物理学：半导体材料考试资料（最新版）

时间:2023-04-25 02:50:50

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1、问答题  为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道漏电流的？


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2、问答题  冷热探笔法测试硅单晶的原理是什么？


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3、问答题  从微观上看，漩涡缺陷与错位缺陷有什么区别？


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4、问答题  例举硅片制造厂房中的7种玷污源。


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5、问答题  什么是IC可靠性？什么是老化测试？


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6、单项选择题  下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）。

A、氧
B、硼
C、温度
D、湿度


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7、问答题  给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模板的区别是什么？


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8、问答题  高纯水的测量方法有哪些？有什么优点？


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9、问答题  什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？


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10、问答题  例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅的纯度能达到多少？


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11、填空题  在晶体学上，选取与宏观晶体有同样对称性的平行六面体来作为（），它构成体的最小单位。


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12、填空题  四探针法测试，C的大小取决于四探针的（）和针距。


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13、填空题  目前国内外导电类型测量有两种（），整流效应法。


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14、问答题  影响树脂再生的因素有哪些？


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15、名词解释  通孔


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16、单项选择题  制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是（）.

A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液


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17、单项选择题  在晶体凝固过程中，存在温度梯度的是（）.

A.上部和边缘部分
B.中部和边缘部分
C.上部和底部
D.底部和边缘部分


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18、单项选择题  尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如果晶转过高，会导致固液界面的形状（）。

A、形状太凹
B、形状太凸
C、过于平整
D、无变化


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19、问答题  解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？


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20、问答题  描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。


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21、问答题  说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢？为什么？


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22、单项选择题  下列属于单晶硅片的一般形状（）.

A.方形
B.三角形
C.椭圆形
D.梯形


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23、问答题  最通常的半导体材料是什么？该材料使用最普遍的原因是什么？


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24、填空题  目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法，一般可分为两大类，（），稳态法（间接法）。


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25、问答题  简诉连续X射线谱的特征？


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26、问答题  立式炉系统的五部分是什么？例举并简单描述？


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27、问答题  例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。


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28、问答题  什么是薄膜？例举并描述可接受的薄膜的8个特性。


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29、问答题  伸缩振动与弯曲振动的频率哪个高？


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30、单项选择题  通过（）改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常使用的方法。

A、温度场
B、磁场
C、重力场
D、电场


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31、问答题  什么是结深？


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32、问答题  晶半导体中的缺陷都有哪些？


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33、单项选择题  失效表明离子交换树脂可供交换的（）大为减少。

A.Cｌ¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA


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34、名词解释  接触


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35、问答题  例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。


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36、填空题  自然界存在的水（江水，河水，湖水）称为（）。


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37、问答题  解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。


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38、问答题  影响氧化速度的因素有哪些？


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39、问答题  描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。


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40、填空题  半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。


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41、问答题  例举双大马士革金属化过程的10个步骤。


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42、问答题  例举在线参数测试的4个主要子系统。


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43、单项选择题  参杂硼元素的半导体是（）.

A.p型半导体
B.本征半导体
C.N型半导体
D.pn结


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44、问答题  砷化镓相对于硅的优点是什么？


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45、单项选择题  硅的晶格结构和能带结构分别是（）.

A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型


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46、单项选择题  下列不属于非晶硅优点的是（）.

A.制备方法简单
B.工艺成本低
C.制备温度高
D.可大面积制备


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47、问答题  解释投射电子能显微镜。


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48、填空题  电阻率条纹上没有微缺陷蚀坑，宏观上看不见小白点，腐蚀面为镜面，这是（）和电阻率条纹最重要的区别。


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49、问答题  单色X射线衍射法的精度收哪些影响？


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50、填空题  曲线未被平衡欠超高一般应不大于（）mm，困难条件下不大于60mm。


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51、问答题  定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？


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52、单项选择题  直拉单晶中氧含量头部和尾部相比（）。

A.较高
B.相同
C.较低
D.无法判断


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53、问答题  描述净化间的舞厅式布局。


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54、单项选择题  列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是（）.

A.加热
B.化料
C.晶体生长
D.冷却


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55、问答题  产生红外吸收的条件是什么？


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56、单项选择题  正常凝固是最宽熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段（）.

A、能
B、不能
C、不确定
D、有时可以，有时不可以


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57、问答题  红外光谱法在氧、碳测试中受哪些影响？


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58、填空题  氧和碳在硅晶体中都呈（）分布。


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59、问答题  解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？


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60、问答题  例举出两种最广泛使用的集成电路封装材料。


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61、问答题  用冷热探笔法测量P型半导体时，为什么冷端带正电，热端带负电？


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62、问答题  例举并描述薄膜生长的三个阶段。


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63、单项选择题  光图定向法结果直观，操作（），误差（）。

A．简单较大
B．复杂较大
C．简单较小
D．复杂较小


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64、问答题  离子注入后为什么要进行退火？


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65、问答题  光电导衰退法分为哪几种?都有什么优点?


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66、单项选择题  （）是影响硅器件成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

A.点缺陷
B.线缺陷
C.面缺陷
D.微缺陷


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67、问答题  x射线性质都有哪些？


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68、填空题  非平衡载流子的寿命ζ，就是反映（）的参数。


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69、问答题  X射线所必须具备的条件？


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70、问答题  解释空气质量净化级别。


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71、问答题  例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。


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72、问答题  描述金属复合层中用到的材料？


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73、单项选择题  下列哪一项不是天然水的三大杂质？（）

A.悬浮物质
B.挥发物质
C.胶体物质
D.溶解物质


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74、填空题  快速腐蚀时一般不受光照影响，而慢速腐蚀时（）影响比较大。


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75、单项选择题  固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（）摄氏度以上进行常规热处理。

A、300
B、400
C、500
D、600


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76、填空题  数字探伤仪测距应使被检部位的最远反射波能够显示在屏幕（）之间。


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77、问答题  X射线衍射与光反射的区别？


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78、填空题  硅单晶的（）是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素，它们是三价的还是五价的，可以将单晶化分为P型和N型两大类。


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79、问答题  简述离子交换柱的结构？


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80、问答题  哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。


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81、问答题  半导体单晶中的点缺陷包括什么？


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82、问答题  什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起的三种问题是什么？


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83、单项选择题  当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.

A.上升
B.下降
C.不变
D.不确定


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84、问答题  叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。


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85、问答题  例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试（第十九章）


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86、问答题  离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？


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87、问答题  影响谱带（位移）的因素有哪些？说明其影响规律和原因？


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88、问答题  对净化间做一般性描述。


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89、问答题  例举并描述热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些？


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90、问答题  给出使用初级泵和真空泵的理由。


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91、问答题  解释离子束扩展和空间电荷中和。


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92、问答题  解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化？


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93、问答题  什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么？


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94、填空题  晶体中最邻近的两个平行晶面间的距离称为晶面间距，晶面指数最低的晶面总是具有（）的晶面间距。


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95、填空题  一般X射线大致具有的性质（），荧光作用，电离作用，穿透能力强，X射线的折射率近似等于1，衍射作用。


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96、单项选择题  用冷热探笔法测量（）半导体时，冷端带正电，热端带负电。

A.P型
B.N
C.PN型
D.以上皆不是


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97、填空题  （）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。


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98、问答题  光刻和刻蚀的目的是什么？


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99、问答题  影响硅单晶电化学腐蚀速度的因素有哪些？


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100、问答题  测试非平衡少数载流子数目的方法？


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101、单项选择题  测量硅中氧浓度常用的方法是（）.

A.带电粒子活化法
B.熔化分析法
C.离子质谱法
D.红外光谱分析法


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102、问答题  什么是无源元件？例举出两个无源元件的例子。什么是有源元件？例举出两个有源元件的例子。


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103、填空题  测出的就是点接触外表面的导电类型。要求（），无氧化层，清洁无油污。


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104、名词解释  互连


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105、问答题  硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？


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106、单项选择题  硅元素的原子序数是（）.

A.13
B.14
C.15
D.16


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107、单项选择题  如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.

A.1/（NA-ND.eｕp
B.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.e
D.1/（NA+ND.eｕp


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108、问答题  解释什么是暗场掩模板。


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109、问答题  例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。


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110、问答题  缺陷显示的意义？


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111、问答题  给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路制造中12种不同的质量测量。


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112、单项选择题  X射线定向法的误差可以控制在范围内，准确度高。（）

A.±10＇
B.±15＇
C.±20＇
D.±30＇


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113、单项选择题  下列铸造多晶硅的制备方法中,（）没有坩埚的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。

A.布里曼法
B.热交换法
C.电磁铸锭法
D.浇铸法


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114、问答题  简述光图定向的基本原理。


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115、问答题  例举出硅片厂中使用的五种通用气体。


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116、问答题  例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简单描述。


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117、单项选择题  下列不属于工业吸附要求的是（）。

A.具有较大的内表面，吸附容量大
B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀
C.不易得，昂贵
D.容易再生


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118、问答题  金相显微镜的构成？


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119、问答题  例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。


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120、问答题  离子源的目的是什么？最常用的离子源是什么？


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121、问答题  X射线的衍射和可见光的反射有什莫不同？


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122、问答题  例举出传统装配的4个步骤。


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123、问答题  例举并描述6种不同的塑料封装形式。陶瓷封装的两种主要封装方法是什么？


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124、问答题  在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？


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125、问答题  什么是CMOS技术？什么是ASIC？


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126、名词解释  填充薄膜


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127、问答题  将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？


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128、问答题  测定晶体取向的方法？


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129、单项选择题  其中不属于多晶硅的生产方法的是（）.

A.SiCl4法
B.硅烷法
C.直拉法
D.西门子改良法


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130、单项选择题  一下哪一种属于金刚石结构（）.

A.Si
B.Cu
C.Fe
D.Al


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131、单项选择题  半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。

A.70%
B.80%
C.90%
D.60%


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132、问答题  为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？


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133、问答题  解释扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影光刻机努力解决什么问题？


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134、问答题  STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？


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135、问答题  为什么电化学腐蚀会产生电位差？它的原因是什么？


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136、填空题  硅半导体的导电过程存在（）和空穴两种载流子。


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137、问答题  什么是色相色谱法？


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138、问答题  什么是印刷电路板？


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139、问答题  按构成集成电路基础的晶体管分类可以将集成电路分为哪些类型？每种类型各有什么特征？


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140、填空题  光电导衰退法是目前应用最广的方法，它有（）和直流光电导之分。


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141、填空题  金相显微镜（），照明系统，机械系统几部分构成。


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142、单项选择题  悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间（）左右。

A.3ｍｉｎ
B.5ｍｉｎ
C.7ｍｉｎ
D.10ｍｉｎ


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143、填空题  电类型测量的具体方法（），三探针法，四探针法，


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144、问答题  从微观上看，漩涡缺陷与位错蚀坑有什么区别？


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145、问答题  光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？


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146、问答题  简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理.


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147、问答题  描述热氧化过程。


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148、单项选择题  下列不属于三氯氢硅性质的是（）。

A、无色透明
B、易燃易爆
C、不易挥发和水解
D、有刺激性气味


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149、填空题  目前测定硅单晶中的氧，碳含量最常用的方法（）收法。


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150、问答题  二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？


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151、填空题  半导体晶体缺陷可以分为（）和微观缺陷，以及点阵应变和表面机械损伤。


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152、填空题  当任何一种高速运动的（）与一块金属物质相撞时，都会产生X射线。


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