半导体芯片制造工：半导体制造技术考试试题（最新版） - 考试题库 - 91考试网

半导体芯片制造工：半导体制造技术考试试题（最新版）

时间:2023-04-08 03:52:58

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1、问答题下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g各段的名称。可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。

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2、问答题集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？

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3、问答题什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。

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4、问答题根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几类？各有什么优缺点？

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5、问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。

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6、问答题

下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。

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7、问答题

以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。

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8、问答题物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。

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9、问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

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10、问答题以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。

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11、问答题分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。

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12、问答题应力分为压应力和张应力，下图的形状是由于哪种应力产生的？请在图上标出应力的方向。如果要让上面的结构材料变得平整，要怎么做？

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13、问答题一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？

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14、问答题简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。

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15、问答题个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为0.6，设k1=0.6，n=0.5，计算其理论分辨率和焦深。

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16、问答题射频放电与直流放电相比有何优点？

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17、问答题简述几种典型真空泵的工作原理。

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18、问答题在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，有哪几种腐蚀停止技术，分别说一下其腐蚀停止原理。

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19、问答题在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。

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20、问答题什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？

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21、问答题简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。

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22、问答题热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

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23、问答题常用溅射技术有哪几种，简述它们的工作原理和特点。

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24、问答题影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？

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25、填空题研究细胞结构和功能异常与疾病关系的细胞生物学分支称为（）。

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26、问答题

Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。

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27、问答题简述RTP在集成电路制造中的常见应用。

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28、问答题 MEMSSi加工工艺主要分为哪两类，它们最基本的区别是什么？

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29、问答题离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？

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30、问答题什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？

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31、问答题简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？

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32、问答题

采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？

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33、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？

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34、问答题什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？

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35、问答题对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。

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36、问答题在光刻中，能够在增加分辨率的同时增加聚焦深度吗？为什么？

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37、问答题

下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。

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38、问答题画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning（SADP）的工艺流程图。

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39、问答题简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。

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40、问答题杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。

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41、问答题说明影响氧化速率的因素。

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42、问答题简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。

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43、问答题根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？

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44、问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

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45、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。

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46、问答题

简述硼和磷的退火特性。

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47、问答题在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡层分成哪几种，分别起什么作用？

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48、问答题简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？

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49、问答题

下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。

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50、问答题采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。

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51、问答题什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？

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52、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。

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53、问答题浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。

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54、问答题简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。

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55、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。

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56、问答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。

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57、问答题对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？

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58、问答题什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区别？

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59、问答题分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图。

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60、问答题什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？

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61、问答题 CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？

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