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1、问答题 解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。
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2、问答题 什么是硅片的自然氧化层?由自然氧化层引起的三种问题是什么?
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3、名词解释 接触
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4、问答题 对净化间做一般性描述。
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5、问答题 影响树脂再生的因素有哪些?
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6、问答题 金相显微镜的构成?
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7、问答题 描述金属复合层中用到的材料?
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8、单项选择题 下列与硼氧复合体缺陷无关的是()。
A、氧
B、硼
C、温度
D、湿度
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9、问答题 X射线的衍射和可见光的反射有什莫不同?
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10、填空题 一般X射线大致具有的性质(),荧光作用,电离作用,穿透能力强,X射线的折射率近似等于1,衍射作用。
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11、填空题 测出的就是点接触外表面的导电类型。要求(),无氧化层,清洁无油污。
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12、问答题 光电导衰退法分为哪几种?都有什么优点?
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13、问答题 离子注入前一般需要先生长氧化层,其目的是什么?
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14、问答题 为什么要采用LDD工艺?它是如何减小沟道漏电流的?
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15、问答题 单色X射线衍射法的精度收哪些影响?
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16、填空题 金相显微镜(),照明系统,机械系统几部分构成。
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17、问答题 X射线衍射与光反射的区别?
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18、问答题 二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用?
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19、问答题 光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处?
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20、问答题 什么是CMOS技术?什么是ASIC?
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21、填空题 光电导衰退法是目前应用最广的方法,它有()和直流光电导之分。
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22、问答题 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率?
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23、问答题 影响谱带(位移)的因素有哪些?说明其影响规律和原因?
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24、问答题 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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25、问答题 解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化?
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26、问答题 例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
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27、问答题 X射线所必须具备的条件?
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28、问答题 x射线性质都有哪些?
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29、问答题 描述热氧化过程。
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30、问答题 缺陷显示的意义?
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31、问答题 解释投射电子能显微镜。
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32、填空题 硅单晶的()是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素,它们是三价的还是五价的,可以将单晶化分为P型和N型两大类。
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33、单项选择题 如果半导体中存在多种杂质,在通常情况下,可以认为基本上属于杂质饱和电离范围,其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为().
A.1/(NA-ND.eup
B.1/(NA-ND.eC.up/(NA-ND.e
D.1/(NA+ND.eup
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34、问答题 例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
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35、名词解释 填充薄膜
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36、问答题 冷热探笔法测试硅单晶的原理是什么?
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37、单项选择题 在晶体凝固过程中,存在温度梯度的是().
A.上部和边缘部分
B.中部和边缘部分
C.上部和底部
D.底部和边缘部分
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38、单项选择题 下列不属于工业吸附要求的是()。
A.具有较大的内表面,吸附容量大
B.具有一定的机械强度,耐热冲击,耐腐蚀
C.不易得,昂贵
D.容易再生
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39、填空题 在晶体学上,选取与宏观晶体有同样对称性的平行六面体来作为(),它构成体的最小单位。
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40、问答题 光刻和刻蚀的目的是什么?
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41、填空题 自然界存在的水(江水,河水,湖水)称为()。
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42、问答题 STI隔离技术中,为什么采用干法离子刻蚀形成槽?
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43、问答题 什么是外延层?为什么硅片上要使用外延层?
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44、问答题 叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
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45、问答题 例举在线参数测试的4个主要子系统。
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46、问答题 红外光谱法在氧、碳测试中受哪些影响?
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47、问答题 什么是IC可靠性?什么是老化测试?
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48、问答题 立式炉系统的五部分是什么?例举并简单描述?
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49、单项选择题 通过()改变驱动力场,借以控制生长系统中的成核率,这是晶体生长工艺中经常使用的方法。
A、温度场
B、磁场
C、重力场
D、电场
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50、问答题 例举出两种最广泛使用的集成电路封装材料。
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51、问答题 硅片关键尺寸测量的主要工具是什么?
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52、问答题 产生红外吸收的条件是什么?
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53、填空题 四探针法测试,C的大小取决于四探针的()和针距。
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54、问答题 例举并描述薄膜生长的三个阶段。
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55、填空题 电阻率条纹上没有微缺陷蚀坑,宏观上看不见小白点,腐蚀面为镜面,这是()和电阻率条纹最重要的区别。
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56、问答题 半导体单晶中的点缺陷包括什么?
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57、问答题 最通常的半导体材料是什么?该材料使用最普遍的原因是什么?
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58、问答题 例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
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59、单项选择题 X射线定向法的误差可以控制在范围内,准确度高。()
A.±10'
B.±15'
C.±20'
D.±30'
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60、填空题 晶体中最邻近的两个平行晶面间的距离称为晶面间距,晶面指数最低的晶面总是具有()的晶面间距。
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61、问答题 例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试(第十九章)
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62、问答题 什么是印刷电路板?
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63、问答题 简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理.
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64、单项选择题 下列铸造多晶硅的制备方法中,()没有坩埚的消耗,降低了成本,同时又可减少杂质污染长度。
A.布里曼法
B.热交换法
C.电磁铸锭法
D.浇铸法
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65、单项选择题 正常凝固是最宽熔区的区域提纯,在进行第一次熔化过后,能不能进入第二次提纯这个阶段().
A、能
B、不能
C、不确定
D、有时可以,有时不可以
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66、单项选择题 其中不属于多晶硅的生产方法的是().
A.SiCl4法
B.硅烷法
C.直拉法
D.西门子改良法
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67、问答题 例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。
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68、单项选择题 制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是().
A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液
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69、问答题 伸缩振动与弯曲振动的频率哪个高?
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70、问答题 晶半导体中的缺陷都有哪些?
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71、问答题 从微观上看,漩涡缺陷与位错蚀坑有什么区别?
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72、填空题 电类型测量的具体方法(),三探针法,四探针法,
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73、填空题 目前国内外导电类型测量有两种(),整流效应法。
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74、问答题 什么是硅化物?难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么?
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75、问答题 简述离子交换柱的结构?
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76、单项选择题 光图定向法结果直观,操作(),误差()。
A.简单较大
B.复杂较大
C.简单较小
D.复杂较小
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77、问答题 描述净化间的舞厅式布局。
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78、问答题 简诉连续X射线谱的特征?
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79、问答题 从微观上看,漩涡缺陷与错位缺陷有什么区别?
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80、问答题 描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。
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81、填空题 快速腐蚀时一般不受光照影响,而慢速腐蚀时()影响比较大。
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82、问答题 影响氧化速度的因素有哪些?
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83、单项选择题 参杂硼元素的半导体是().
A.p型半导体
B.本征半导体
C.N型半导体
D.pn结
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84、填空题 曲线未被平衡欠超高一般应不大于()mm,困难条件下不大于60mm。
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85、单项选择题 当晶体生长的较快,内坩埚中杂质量变少,晶体的电阻率().
A.上升
B.下降
C.不变
D.不确定
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86、问答题 例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅的纯度能达到多少?
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87、填空题 数字探伤仪测距应使被检部位的最远反射波能够显示在屏幕()之间。
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88、问答题 例举并描述热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些?
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89、问答题 离子源的目的是什么?最常用的离子源是什么?
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90、填空题 当任何一种高速运动的()与一块金属物质相撞时,都会产生X射线。
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91、问答题 给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模板的区别是什么?
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92、填空题 半导体晶体缺陷可以分为()和微观缺陷,以及点阵应变和表面机械损伤。
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93、问答题 为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺?更小的栅长会引发什么问题?
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94、问答题 什么是色相色谱法?
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95、名词解释 通孔
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96、问答题 什么是薄膜?例举并描述可接受的薄膜的8个特性。
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97、单项选择题 固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中,在()摄氏度以上进行常规热处理。
A、300
B、400
C、500
D、600
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98、问答题 测试非平衡少数载流子数目的方法?
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99、问答题 说明水汽氧化的化学反应,水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢?为什么?
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100、问答题 离子注入后为什么要进行退火?
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101、单项选择题 下列不属于非晶硅优点的是().
A.制备方法简单
B.工艺成本低
C.制备温度高
D.可大面积制备
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102、单项选择题 直拉单晶中氧含量头部和尾部相比()。
A.较高
B.相同
C.较低
D.无法判断
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103、单项选择题 硅元素的原子序数是().
A.13
B.14
C.15
D.16
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104、问答题 例举出硅片厂中使用的五种通用气体。
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105、填空题 半导体材料的电阻率与(),以及载流子迁移率有关。
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106、问答题 用冷热探笔法测量P型半导体时,为什么冷端带正电,热端带负电?
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107、问答题 例举双大马士革金属化过程的10个步骤。
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108、单项选择题 半导体工业所用的硅单晶()是用CZ法生长的。
A.70%
B.80%
C.90%
D.60%
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109、问答题 给出使用初级泵和真空泵的理由。
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110、单项选择题 用冷热探笔法测量()半导体时,冷端带正电,热端带负电。
A.P型
B.N
C.PN型
D.以上皆不是
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111、问答题 例举并描述6种不同的塑料封装形式。陶瓷封装的两种主要封装方法是什么?
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112、填空题 非平衡载流子的寿命ζ,就是反映()的参数。
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113、填空题 目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法,一般可分为两大类,(),稳态法(间接法)。
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114、问答题 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低?
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115、单项选择题 一下哪一种属于金刚石结构().
A.Si
B.Cu
C.Fe
D.Al
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116、问答题 解释离子束扩展和空间电荷中和。
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117、问答题 例出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解释。
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118、填空题 目前测定硅单晶中的氧,碳含量最常用的方法()收法。
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119、问答题 测定晶体取向的方法?
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120、单项选择题 列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是().
A.加热
B.化料
C.晶体生长
D.冷却
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121、问答题 给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路制造中12种不同的质量测量。
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122、名词解释 互连
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123、问答题 将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程?
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124、问答题 砷化镓相对于硅的优点是什么?
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125、单项选择题 下列不属于三氯氢硅性质的是()。
A、无色透明
B、易燃易爆
C、不易挥发和水解
D、有刺激性气味
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126、问答题 描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。
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127、单项选择题 下列哪一项不是天然水的三大杂质?()
A.悬浮物质
B.挥发物质
C.胶体物质
D.溶解物质
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128、问答题 按构成集成电路基础的晶体管分类可以将集成电路分为哪些类型?每种类型各有什么特征?
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129、单项选择题 硅的晶格结构和能带结构分别是().
A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型
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130、问答题 例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简单描述。
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131、填空题 氧和碳在硅晶体中都呈()分布。
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132、问答题 影响硅单晶电化学腐蚀速度的因素有哪些?
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133、问答题 高纯水的测量方法有哪些?有什么优点?
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134、问答题 解释空气质量净化级别。
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135、问答题 简述光图定向的基本原理。
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136、问答题 解释扫描投影光刻机是怎样工作的?扫描投影光刻机努力解决什么问题?
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137、单项选择题 失效表明离子交换树脂可供交换的()大为减少。
A.Cl¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
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138、单项选择题 悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间()左右。
A.3min
B.5min
C.7min
D.10min
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139、问答题 为什么电化学腐蚀会产生电位差?它的原因是什么?
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140、问答题 什么是无源元件?例举出两个无源元件的例子。什么是有源元件?例举出两个有源元件的例子。
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141、问答题 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
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142、问答题 例举出传统装配的4个步骤。
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143、单项选择题 下列属于单晶硅片的一般形状().
A.方形
B.三角形
C.椭圆形
D.梯形
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144、单项选择题 ()是影响硅器件成品率的一个重要因素,也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。
A.点缺陷
B.线缺陷
C.面缺陷
D.微缺陷
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145、填空题 硅半导体的导电过程存在()和空穴两种载流子。
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146、问答题 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?
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147、问答题 什么是结深?
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148、问答题 例举硅片制造厂房中的7种玷污源。
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149、填空题 ()是半导体单晶重要电学参数之一,它反映了补偿后的杂质浓度,与半导体中的载流子浓度有直接关系。
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150、单项选择题 测量硅中氧浓度常用的方法是().
A.带电粒子活化法
B.熔化分析法
C.离子质谱法
D.红外光谱分析法
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151、问答题 解释什么是暗场掩模板。
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152、单项选择题 尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性,如果晶转过高,会导致固液界面的形状()。
A、形状太凹
B、形状太凸
C、过于平整
D、无变化
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