电子与通信技术：微电子学试题预测（最新版）

时间:2021-05-12 02:07:46

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1、填空题  在微电子学中的空间尺寸通常是以μm和（）为单位的。


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2、填空题  计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做（）。


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3、问答题  经过那些工艺流程可以实现选择“掺杂”？写出工艺流程。


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4、问答题  简单叙述微电子学对人类社会的作用？


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5、填空题  非晶、（）、单晶是固体的三种基本类型。


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6、填空题  双极型晶体管其有两种基本结构：PNP型和（）型。


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7、判断题  双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴。


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8、问答题  什么是N型半导体？什么是P型半导体？如何获得？


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9、判断题  同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。


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10、名词解释  厄利电压


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11、判断题  如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。


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12、问答题  21世纪硅微电子技术的主要发展方向有哪些？


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13、填空题  组合逻辑电路的输出状态只与当时的（）有关。


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14、问答题  微电子器件的特征尺寸继续缩小的关键技术有哪些？


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15、判断题  对于发光二极管，其内量子效率比外量子效率小。


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16、问答题  列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用？


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17、名词解释  沟道长度调制效应


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18、问答题  CMOS集成电路版图设计中，什么是有比例设计和无比例设计，对电学参数有哪些影响？


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19、问答题  集成电路设计流程，三个设计步骤？


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20、判断题  CMOS电路与双极集成电路相比速度快。


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21、判断题  从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。


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22、判断题  常用的IC设计方法有全定制设计方法、标准单元设计方法、门阵列设计方法和可编程逻辑电路设计方法等。对于性能要求很高或批量很大的产品，如存储器、微处理器等，一般采用可编程逻辑电路设计方法。


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23、问答题  简述VHDL语言的用途及其电路描述风格？


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24、填空题  所谓（），指在时间上和幅度上离散取值的信号。


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25、填空题  半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。


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26、填空题  N型半导体中电子是多子，空穴是（）。


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27、填空题  集成电路的特征尺寸有时也称线宽，通常是指集成电路中半导体器件的（）。


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28、填空题  硅和锗都是Ⅳ族元素，它们具有（）结构。


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29、填空题  集成电路的特征尺寸是衡量集成电路加工工艺水平和（）的主要指标。


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30、填空题  MOSIC的缺点是（）。


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31、问答题  集成电路的性能指标有哪些？


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32、填空题  隧道击穿主要取决于空间电荷区中的（）。


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33、填空题  微电子学是以实现（）的集成为目的的。


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34、问答题  闩锁效应起因？


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35、名词解释  平带电压


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36、判断题  微机电系统的制造工艺与IC制造工艺是完全一样的。


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37、填空题  PN结总的电容应该包括势垒电容和（）之和。


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38、问答题  在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？


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39、判断题  EDA是计算机辅助测试的英文简称。


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40、问答题  简述集成电路的分类？


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41、填空题  MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。


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42、填空题  能量最高的是价电子所填充的能带，称为（）。


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43、填空题  2000年，因发明集成电路而被授予诺贝尔物理学奖的是（）。


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44、问答题  什么是基区宽变效应，基区宽变效应受哪些因素影响？


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45、填空题  迁移率反映的是载流子（）在单位电场作用下的平均漂移速度。


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46、填空题  晶体性质的基本特征之一是具有（）。


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47、问答题  用你自己的话解释微电子学、集成电路的概念？


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48、填空题  一般认为MOS集成电路功耗低、（），宜用作数字集成电路。


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49、填空题  晶体管的直流特性（）是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线。


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50、判断题  双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。


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51、判断题  标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。


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52、填空题  双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为（）来使用，在电路中得到了大量的应用。


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53、判断题  SOC指的是系统芯片。


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54、问答题  晶体管的基极宽度会影响那些参数？为什么？


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55、问答题  什么是线性电源？


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56、填空题  本征半导体的导电能力很弱，热稳定性很（）。


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57、填空题  （）是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。


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58、判断题  微电子技术的核心是集成电路，中央处理器是集成电路的标志性产品之一。


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59、问答题  什么是集成电路设计？集成电路的设计方法有哪些？


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60、问答题  载流子的输运有哪些模式？对这些输运模式进行简单的描述。


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61、填空题  （）集成电路已成为集成电路的主流。


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62、判断题  对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。


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63、问答题  什么是电路模拟？其在IC设计中的作用？


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64、问答题  解释PN节的单向导电性？


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65、名词解释  “掺杂”


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66、判断题  微电子技术、通信技术和因特网技术构成了信息技术发展的三大基础。


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67、问答题  光电器件主要包括哪几类？简述光电倍增管的基本原理？


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68、名词解释  短沟道效应


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69、名词解释  器件模拟


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70、问答题  对门电路而言，高低电平噪声容限受哪些因素影响？


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71、填空题  晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域：放大区，饱和区，（）。


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72、填空题  根据不同的击穿机理，PN结击穿主要分为（）和隧道击穿这两种电击穿。


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73、填空题  所谓（），是指幅度随时间连续变化的信号。


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74、填空题  集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、（）、封装等工序。


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75、名词解释  工艺模拟


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76、判断题  常用来制造半导体发光二极管的材料是直接跃迁晶体材料。


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77、问答题  什么是集成电路设计？


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78、判断题  对于一个PN结，如果反偏电压降低，耗尽区宽度将减小。


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79、填空题  PN结的最基本性质之一就是其具有（）。


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80、填空题  反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是（）。


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81、填空题  双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种（）。


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82、填空题  在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。


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83、填空题  在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。


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84、问答题  简述晶体管的直流工作原理？


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85、判断题  在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。


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86、判断题  半导体激光器的工作原理是受激发射。


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