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1、问答题  什么是MOS晶体管的闩锁效应,其对晶体管有什么影响?
                    
 
	
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	        2、问答题  什么叫半导体集成电路?
                    
 
	
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	        3、问答题  降低电路的功耗有哪些方法?
                    
 
	
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	        4、问答题  什么是特征尺寸?它对集成电路工艺有何影响?
                    
 
	
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	        5、问答题  请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应,并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
                    
 
	
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	        6、问答题  什么是沟道长度调制效应,对器件有什么影响?
                    
 
	
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	        7、问答题  以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足?
                    
 
	
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	        8、问答题  简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤。
                    
 
	
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	        9、问答题  如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应?
                    
 
	
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	        10、问答题  在制作晶体管的时候,衬底材料电阻率的选取对器件有何影响是?
                    
 
	
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	        11、问答题  什么是集成双极晶体管的无源寄生效应?
                    
 
	
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	        12、问答题  简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。
                    
 
	
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	        13、名词解释  开门电平
                    
 
	
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	        14、问答题  MOS晶体管的短沟道效应是指什么,其对晶体管有什么影响?
                    
 
	
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	        15、问答题  什么是MOS晶体管的有源寄生效应?
                    
 
	
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	        16、名词解释  逻辑摆幅
                    
 
	
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	        17、问答题  为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分(不考虑沟道调制效应)?
                    
 
	
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	        18、问答题  阐述静态存储和动态存储的不同的的存储方法。
                    
 
	
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	        19、问答题  相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善,分析改进部分是如何工作的?
                    
 
	
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	        20、问答题  在四管标准与非门中,那个管子会对瞬态特性影响最大,并分析原因以及带来那些困难。
                    
 
	
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	        21、问答题  为什么TTL与非门不能直接并联。
                    
 
	
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	        22、名词解释  关门电平
                    
 
	
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	        23、问答题  按电路功能或信号类型分,半导体集成电路分为哪几类?
                    
 
	
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	        24、问答题  按照器件类型分,半导体集成电路分为哪几类?
                    
 
	
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	        25、问答题  简述CMOS静态逻辑门功耗的构成。
                    
 
	
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	        26、名词解释  静态功耗
                    
 
	
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	        27、问答题  集成电路中常用的电 容有哪些?
                    
 
	
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	        28、问答题  简述动态组合逻辑电路中存在的常见的三种问题,以及他们产生的原因和解决的方法。
                    
 
	
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	        29、问答题  OC门在结构上作了什么改进,它为什么不会出现TTL与非门并联的问题?
                    
 
	
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	        30、问答题  耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处?
                    
 
	
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	        31、问答题  双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些?
                    
 
	
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	        32、问答题  什么是器件的亚阈值特性,对器件有什么影响?
                    
 
	
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	        33、问答题  简述四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用。
                    
 
	
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	        34、问答题  按照半导体集成电路的集成度来分,分为哪些类型,请同时写出它们对应的英文 缩写。
                    
 
	
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	        35、问答题  两管与非门有哪些缺点,四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在那些地方做了改善,并分析改善部分是如何工作的。四管和五管与非门对静态和动态有那些方面的改进。
                    
 
	
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 91exam.orgs.width>600)makesmallpic(this,600,1800);" src="http://wap.91exam.org/ewebeditor/uploadfile/2019/04/02/20190402155207853.png" align="center" style="font-size: 9pt;">
	
	
	        36、问答题  采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点?
                    
 
	
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	        37、问答题  简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略?
                    
 
	
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	        38、名词解释  电压传输特性
                    
 
	
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	        39、问答题  解释静态存储和动态存储的区别和优缺点比较。
                    
 
	
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	        40、问答题  如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应?
                    
 
	
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	        41、问答题  以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点?并请提出改进方法。
                    
 
	
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	        42、问答题  举例说明什么是有比反相器和无比反相器。
                    
 
	
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	        43、问答题  为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线?
                    
 
	
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	        44、问答题  为什么基区薄层电阻需要修正?
                    
 
	
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	        45、问答题  四管与非门中,如果高电平过低,低电平过高,分析其原因,如与改善方法,请说出你的想法。
                    
 
	
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