电子与通信技术：集成电路技术测试题（每日一练）

时间:2019-10-30 11:50:31

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1、问答题  如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？


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2、问答题  什么叫半导体集成电路？


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3、问答题  简述四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用。


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4、问答题  两管与非门有哪些缺点，四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在那些地方做了改善，并分析改善部分是如何工作的。四管和五管与非门对静态和动态有那些方面的改进。


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5、问答题  为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？


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6、名词解释  静态功耗


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7、问答题  按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写。


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8、问答题  什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？


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9、名词解释  开门电平


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10、问答题  什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？


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11、问答题  四管与非门中，如果高电平过低，低电平过高，分析其原因，如与改善方法，请说出你的想法。


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12、问答题  简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？


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13、问答题  为什么TTL与非门不能直接并联。


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14、问答题  MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？


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15、问答题  集成电路中常用的电容有哪些？


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16、问答题  为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线？


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17、问答题  以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。


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18、问答题  简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。


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19、问答题  为什么基区薄层电阻需要修正？


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20、名词解释  关门电平


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21、名词解释  电压传输特性


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22、问答题  按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？


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23、问答题  解释静态存储和动态存储的区别和优缺点比较。


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24、问答题  耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？


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25、问答题  在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以及带来那些困难。


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26、问答题  举例说明什么是有比反相器和无比反相器。


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27、问答题  简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤。


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28、问答题  以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？


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29、问答题  降低电路的功耗有哪些方法？


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30、问答题  请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。


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31、问答题  双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？


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32、名词解释  逻辑摆幅


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33、问答题  在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响是？


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34、问答题  OC门在结构上作了什么改进，它为什么不会出现TTL与非门并联的问题？


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35、问答题  什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响？


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36、问答题  阐述静态存储和动态存储的不同的的存储方法。


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37、问答题  简述动态组合逻辑电路中存在的常见的三种问题，以及他们产生的原因和解决的方法。


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38、问答题  相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善，分析改进部分是如何工作的？


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39、问答题  什么是MOS晶体管的有源寄生效应？


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40、问答题  什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？


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41、问答题  什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？


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42、问答题  按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？


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43、问答题  如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？


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44、问答题  采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点？


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45、问答题  简述CMOS静态逻辑门功耗的构成。


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