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1、判断题  LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。

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本题答案：对
本题解析：暂无解析

2、问答题  堆叠封装的发展趋势？

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本题答案：当前半导体封装发展的趋势是越来越多的向高频、多芯片模块
本题解析：试题答案当前半导体封装发展的趋势是越来越多的向高频、多芯片模块（MCM），系统集成（SiP）封装，堆叠封装（PiP，PoP）发展，出现了半导体装配与传统电路板装配间的集成，如倒装晶片直接在终端产品装配。元件堆叠技术是在业已成熟的倒装晶片装配技术上发展起来的。

3、问答题  晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九个工艺步骤。

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本题答案：Wafer。
（1）单晶硅生长：晶体生长是把
本题解析：试题答案Wafer。
（1）单晶硅生长：晶体生长是把半导体级硅的多晶硅块转换 成一块大的单晶硅。生长后的单晶硅被称为硅锭。可用CZ法或区熔法。
（2）整型。去掉两端，径向研磨，硅片定位边或定位槽。
（3）切片。对200mm及以上硅片而言，一般使用内圆切割机；对300mm硅片来讲都使用线锯。
（4）磨片和倒角。切片完成后，传统上要进行双面的机械磨片以去除切片时留下的损伤，达到硅片两面高度的平行及平坦。硅片边缘抛光修整，又叫倒角，可使硅片边缘获得平滑的半径周线。
（5）刻蚀。在刻蚀工艺中，通常要腐蚀掉硅片表面约20微米的硅以保证所有的损伤都被去掉。
（6）抛光。也叫化学机械平坦化（CMP），它的目标是高平整度的光滑表面。抛光分为单面抛光和双面抛光。
（7）清洗。半导体硅片必须被清洗使得在发给芯片制造厂之前达到超净的洁净状态。
（8）硅片评估。
（9）包装。

4、判断题  关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。

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本题答案：对
本题解析：暂无解析

5、问答题  简述MCM的设计？

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本题答案：将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种设计。要使
本题解析：试题答案将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种设计。要使用多层互联基板的制作，芯片连接两种技术，芯片连接可以用打线键合，TAB或C4，基板可以使用陶瓷、金属、高分子材料，利用厚膜，薄膜或多层陶瓷共烧等技术制成的互连结构。

6、问答题  简要说明IC制造的平坦化工艺的作用是什么？主要有哪些方式？并解释各种方式的详细内容。

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本题答案：在多层布线立体结构中，把成膜后的凸凹不平之处进行抛光研
本题解析：试题答案在多层布线立体结构中，把成膜后的凸凹不平之处进行抛光研磨，使其局部或全局平坦化。
A.关于ECMP（电化学机械研磨方法），其工作步骤如下：首先，用电能使Cu氧化，再用络合剂使之生成Cu的络合物，最终研磨掉Cu络合物。从对加工面进行研磨加工的原理观察，除了Cu的氧化方法之外，ECMP和CMP是同样的，而且加工面获得的平坦度性能也是同等水平。但是，ECMP的必要条件是底座盘应具备导电性。
B.关于电解研磨ECP方法，利用电镀的逆反应。从电场集中之处开始进行刻蚀，可获得平滑的研磨加工表面；但是，它能刻蚀平坦的区域只限于突起部分。
C.关于化学蚀刻CE构成的平坦化技术，它是把Si的精细加工等领域里使用的各向异性刻蚀用湿式刻蚀法实现的。关于湿式刻蚀法虽然对于平坦化无能为力，但是，若把圆片一面旋转一面加工，则产生各向异性，体现出平坦化能力。

7、判断题  离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。

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本题答案：对
本题解析：暂无解析

8、判断题  85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。

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本题答案：对
本题解析：暂无解析

9、判断题  与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。

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本题答案：对
本题解析：暂无解析

10、判断题  光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。

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本题答案：对
本题解析：暂无解析

11、填空题  热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。

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本题答案：高温；时间；温度
本题解析：试题答案高温；时间；温度

12、判断题  硅片制造厂可分为六个独立的区域，各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。

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本题答案：错
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13、判断题  离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。

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本题答案：对
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14、名词解释  溅射镀膜

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本题答案：溅射镀膜是利用电场对辉光放电过程中产生出来的带电离子进
本题解析：试题答案溅射镀膜是利用电场对辉光放电过程中产生出来的带电离子进行加速，使其获得一定的动能后，轰击靶电极，将靶电极的原子溅射出来，沉积到衬底形成薄膜的方法。

15、判断题  蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖，但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。

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本题答案：错
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16、问答题  载带自动焊的分类及结构特点？

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本题答案：TAB按其结构和形状可分为
Cu箔单层带：<
本题解析：试题答案TAB按其结构和形状可分为
Cu箔单层带：
Cu的厚度为35-70um，
Cu-PI双层带
Cu-粘接剂-PI三层带
Cu-PI-Cu双金属

17、判断题  硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。

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本题答案：对
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18、判断题  最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。

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本题答案：错
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19、判断题  CVD是利用 某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。

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本题答案：错
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20、判断题  在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。

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本题答案：错
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21、判断题  在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。

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本题答案：对
本题解析：暂无解析

22、填空题  集成电路的发展时代分为（）、中规模集成电路MSI、（）、超大规模集成电路VLSI、（）。

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本题答案：小规模集成电路SSI；大规模集成电路LSI；甚大规模集成电路
本题解析：试题答案小规模集成电路SSI；大规模集成电路LSI；甚大规模集成电路ULSI

23、填空题  集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。

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本题答案：热扩散；离子注入
本题解析：试题答案热扩散；离子注入

24、判断题  刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。

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本题答案：对
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25、判断题  电机电流终点检测不适合用作 层间介质的化学机械平坦化。

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本题答案：对
本题解析：暂无解析

26、问答题  简述MCM的BGA封装？

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本题答案：BGA封装适用于MCM封装，能够实现MCM的高密度，高性能。
本题解析：试题答案BGA封装适用于MCM封装，能够实现MCM的高密度，高性能。

27、问答题  常用的半导体材料为何选择硅？

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本题答案：1）硅的丰裕度。硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的
本题解析：试题答案1）硅的丰裕度。硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的25%；经合理加工，硅能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度而消耗更低的成本。
2）更高的熔化温度允许更宽的工艺容限。硅1412℃>锗937℃。
3）更宽的工作温度。用硅制造的半导体件可以用于比锗更宽的温度范围，增加了半导体的应用范围和可靠性。
4）氧化硅的自然生成。氧化硅是一种高质量、稳定的电绝缘材料，而且能充当优质的化学阻挡层以保护硅不受外部沾污；氧化硅具有与硅类似的机械特性，允许高温工艺而不会产生过度的硅片翘曲。

28、判断题  冶金级硅的纯度为98%。

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本题答案：对
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29、判断题  APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。

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本题答案：对
本题解析：暂无解析

30、名词解释  保形覆盖

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本题答案：保形覆盖是指无论衬底表面有什么样的倾斜图形在所有图形的
本题解析：试题答案保形覆盖是指无论衬底表面有什么样的倾斜图形在所有图形的上面都 能沉积有相同厚度的薄膜。

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