时间:2019-07-02 20:37:01
1、单项选择题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。
A.600～750℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.950～1100℃
2、单项选择题 &nbs p;（）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。
A.LPCVD
B.PECVD
C.CVD
D.PVD
3、单项选择题 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。
A.ARC
B.HMDS
C.正胶
D.负胶
4、单项选择题 离子散射方向与入射方向的夹角，称为（）。
A.渐近角
B.偏折角
C.散射角
D.入射角
5、单项选择题 静电偏转电极和静电扫描器都是（）电容器。
A.片状
B.针尖状
C.圆筒状
D.平行板
6、多项选择题 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
A.二氧化硅氮化硅
B.多晶硅硅化金属
C.单晶硅多晶硅
D.铝铜
E.铝硅
7、多项选择题 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。
A.氧化
B.改变导电类型
C.涂层
D.改变材料性质
E.镀膜
8、单项选择题 请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
9、单项选择 题 下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。
A.薄膜沉积
B.薄膜成长
C.蒸发
D.溅射
10、单项选择题 将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后，装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱形交换柱内，自来水（）通过交换柱就能称为高纯度去离子水。
A.自上而下
B.自下而上
C.自左而右
D.自右而左
11、多项选择题 下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。
A.注入离子的质量
B.靶的种类
C.注入温度
D.注入速度
E.注入剂量
12、单项选择题 降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。
A.增大
B.减小
C.不变
D.变为0
13、单项选择题 在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
A.气体
B.等离子体
C.固体
D.液体
14、多项选择题 离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。
A.砷化氢
B.二硼化氢
C.四氟化硅
D.三氟化磷
E.五氟化磷
15、单项选择题 引出系统要求能引出分散性较好的强束流，还希望具有较（）的气阻。
A.无序
B.稳定
C.小
D.大
16、多项选择题 下列有关曝光系统的说法正确的是（）。
A.投影式同接触式相比，掩模版的利用率比较高
B.接触式的分辨率优于接近式
C.接近式的分辨率受到衍射的影响
D.投影式曝光系统中不会产生衍射现象
E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系统
17 、单项选择题 如果磷在二氧化硅中扩散，对扩散率影响最大的因素是：（）。
A.扩散剂总量
B.压强
C.温度
D.浓度
18、单项选择题 为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有（），使离子束偏转后再达到靶室。
A.磁分析器
B.正交电磁场分析器
C.静电偏转电极
D.束流分析仪
19、多项选择题 （）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。
A.薄膜成长
B.蒸发
C.薄膜沉积
D.溅射
E.以上都正确
20、多项选择题 沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。
A.功能
B.成品率
C.物理性能
D.电学性能
E.外观
21、单项选择题 请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
22、单项选择题 （）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活动挡板和底盘构成。
A.真空镀膜机
B.真空镀膜室
C.真空镀膜器
D.真空镀膜仪
23、单项选择题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
24、单项选择题 光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B.涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
C.涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D.前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
25、单项选择题 激光退火目前有（）激光退火两种。
A.一般和特殊
B.脉冲和连续
C.高温和低温
D.快速和慢速
26、多项选择题 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。
A.埋层
B.外延
C.PN结
D.扩散电阻
E.隔离区
27、单项选择题 不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。
A.CHF3
B.C2F6
C.C3F8
D.HF
28、单项选择题 离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。
A.中子源
B.离子源
C.电子源
D.质子源
29、单项选择题 复合床和混合床可以串联使用。复合床就是指将阳树脂和阴树脂分别装在两个（）内串接起来。
A.交换柱
B.混合床
C.混合柱
D.复合柱
30、多项选择题 干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。
A.生长的二氧化硅薄膜均匀性好
B.生长的二氧化硅干燥
C.生长的二氧化硅结构致密
D.生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
E.生长的二氧化硅掩蔽能力强