时间:2019-05-04 20:48:43
1、多项选择题 沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。
A.功能
B.成品率
C.物理性能
D.电学性能
E.外观
2、单项选择题 买来的新树脂往往是Na型或Cl型，新树脂使用前必须分别用酸（阳树脂），碱（阴树脂）浸泡约（）个小时，把Na型或Cl型转换成H型或OH型。
A.3
B.4
C.5
D.6
3、 单项选择题 为了保证保护装置能可靠地动作，27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）
A.18.3A
B.13.8A
C.11A
D.9.2A
4、单项选择题 在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。
A.耐热陶瓷器皿
B.金属器皿
C.石英舟
D.玻璃器皿
5、单项选择题 ESD产生（）种不同的静电总类。
A.1
B.4
C.3
D.2
6、多项选择题 下列可作为磷扩散源的是（）。
A.磷钙玻璃
B.三氯氧磷
C.三氯化磷
D.磷烷
E.掺磷二氧化硅乳胶源
7、单项选择题 在酸性浆料中，最常使用的氧化剂为（）。
A.硝酸
B.硝酸铜
C.硫酸
D.磺酸
8、单项选择题 刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻胶
D.去离子水
9、单项选择题 下列材料中电阻率最低的是（）。
A.铝
B.铜
C.多晶硅
D.金
10、多项选择题 在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。
A.晶圆顶层的保护层
B.多层金属的介质层
C.多晶硅与金属之间的绝缘层
D.掺杂阻挡层
E.晶圆片上器件之间的隔离
11、多项选择题 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。
A.氧化
B.改变导电类型
C.涂层
D.改变材料性质
E.镀膜
12、单项选择题 以下属于口腔医务人员个人保护措施的是（）
A.手套
B.口罩
C.防护镜
D.保护性工作服
E.以上均是
13、多项选择题 下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。
A.硼
B.锡
C.锑
D.磷
E.砷
14、多项选择题 属于铝的性质有（）。
A.电阻低
B.抗电迁移特性好
C.对硅氧化物有很好的黏合性
D.有很高的纯度
E.易于光刻
15、单项选择题 当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。
A.临界剂量
B.饱和剂量
C.无损伤剂量
D.零点剂量
16、单项选择题 在靶片前方设一抑制栅，作用是将（）抑制回去，从而保证测量的准确性。
A.二次电子
B.二次中子
C.二次质子
D.无序离子
17、单项选择题 企业的战略一般由四个要素组成，即经营范围、资源配置、竞争优势以及协同合作，其中协同合作是指企业通过共同的努力达到（）。
A.分力之和大于简单相加的结果
B.分力之和等于简单相加
C.共享开发工具、共享信息
D.共同分担着开发失败的风险
18、单项选择题 引出系统要求能引出分散性较好的强束流，还希望具有较（）的气阻。
A.无序
B.稳定
C.小
D.大
19、单项选择题 在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
A.DQN
B.CA
C.ARC
D.PMMA
20、多项选择题 按加热源的不同，可以分成（）几种不同类型的蒸发。
A.真空蒸发
B.离子束蒸发
C.电子束蒸发
D.粒子束蒸发
E.常压蒸发
21、单项选择题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
22、多项选择题 涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。
A.进行去水烘烤以保证晶片干燥
B.在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好
C.刚刚处理好的晶片应立即涂胶
D.贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥
E.也可以直接使用贮存的晶片
23、单项选择题 在确定扩散率的测结深实验中，结深的测量是采用HF和（）的混和液对磨斜角进行化学染色的。
A.乙醇
B.HCL
C.H2SO4
D.HNO3
24、单项选择题 铜互连金属多层布线中，磨料的粒径一般为（）。
A.5~10nm
B.20~30nm
C.50~80nm
D.100~200nm
25、单项选择题 决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团，以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否（）而定。
A.动能最低
B.稳定
C.运动
D.静止
26、单项选择题 （）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。
A.PVD
B.CVD
C.溅射
D.蒸发
27、单项选择题 为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有（），使离子束偏转后再达到靶室。
A.磁分析器
B.正交电磁场分析器
C.静电偏转电极
D.束流分析仪
28、多项选择题 解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。
A.加强工艺操作
B.加强人体和环境卫生
C.使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备
D.采用HCl氧化工艺
E.硅片清洗后，要充分烘干，表面无水迹
29、单项选择题 半导体硅常用的施主杂质是（）。
A.锡
B.硫
C.硼
D.磷
30、单项选择题 thermal conductivity gauge的意思是（）。
A.离子计
B.热传导真空计
C.放电型真空计
D.麦克劳式真空计