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1、判断题 成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。
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本题答案：对
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2、填空题 用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分（）、（）、气体分配系统、尾气系统和（）。
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本题答案：工艺腔；硅片传输系统；温控系统
本题解析：试题答案工艺腔；硅片传输系统；温控系统
3、问答题 封装中涉及到的主要材料有哪些？
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本题答案：引线材料；引线框架材料；芯片粘结材料；模塑料；焊接材料
本题解析：试题答案引线材料；引线框架材料；芯片粘结材料；模塑料；焊接材料；封装基板材料。
4、判断题 大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术。
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本题答案：对
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5、判断题 集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。
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本题答案：对
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6、问答题 矩形片式电阻由哪几部分组成？各部分的主要作用是什么？
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本题答案：基板：基板要具有良好的电绝G8P-1A4PDC12缘性
本题解析：试题答案基板：基板要具有良好的电绝G8P-1A4PDC12缘性、导热性和机械强度高等特征。一般基板的材科多采用高纯度的（96%）AL203陶瓷。其工艺要求表面平整、划线准确，以确保电阻、电极浆料印制到位。
电极：片式电阻器一般都采用三层电极结构，最内层的是内层电极，它是连接电阻体位于中间层的是中间电极，它是镀镍（Ni）层，也被称为阻挡层，其主要作用是提高电阻器在焊接时的耐热性，避免造成内层电极被溶蚀。位于最外层的是外层电极，它也被称为可焊层，该层除了使电极具有良好的可焊性外，还可以起到延长电极保存期的作用。通常，外层电极采用锡一铅（S。-PB.合金电镀而成。
电阻膜：电阻膜是采用具有一定电阻率的电阻浆料印制在陶瓷基板上，然后再经过烧结而成的厚膜电阻。
保护层：保护层位于电阻膜的外部，主要起保护作用。它通常可以细分为封包玻璃保护膜、玻璃釉涂层和标志玻璃层。
7、判断题 20世纪90年代初期使用的第一台CMP设备是用样片估计抛光时间来进行终点检测的。
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本题答案：对
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8、问答题 SMT电路基板（SMB）的主要特点？
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本题答案：高密度：SMB引脚数增加，线宽和间距缩小。
本题解析：试题答案高密度：SMB引脚数增加，线宽和间距缩小。
小孔径：表面过孔用于实现层间连接。
CTE低：CTE失配，元器件与电路板之间的热失配对SMB的CTE提出更高要求。
耐高温性能：双面SMT，SMB需要经受两次再流焊。
平整度好：要求SMB焊盘与元器件引脚、端子紧密接触。
9、判断题 化学机械平坦化，简称CMP，它是一种表面全局平坦化技术。
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本题答案：对
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10、问答题 简要说明IC制造的平坦化工艺的作用是什么？主要有哪些方式？并解释各种方式的详细内容。
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本题答案：在多层布线立体结构中，把成膜后的凸凹不平之处进行抛光研
本题解析：试题答案在多层布线立体结构中，把成膜后的凸凹不平之处进行抛光研磨，使其局部或全局平坦化。
A.关于ECMP（电化学机械研磨方法），其工作步骤如下：首先，用电能使Cu氧化，再用络合剂使之生成Cu的络合物，最终研磨掉Cu络合物。从对加工面进行研磨加工的原理观察，除了Cu的氧化方法之外，ECMP和CMP是同样的，而且加工面获得的平坦度性能也是同等水平。但是，ECMP的必要条件是底座盘应具备导电性。
B.关于电解研磨ECP方法，利用电镀的逆反应。从电场集中之处开始进行刻蚀，可获得平滑的研磨加工表面；但是，它能刻蚀平坦的区域只限于突起部分。
C.关于化学蚀刻CE构成的平坦化技术，它是把Si的精细加工等领域里使用的各向异性刻蚀用湿式刻蚀法实现的。关于湿式刻蚀法虽然对于平坦化无能为力，但是，若把圆片一面旋转一面加工，则产生各向异性，体现出平坦化能力。
11、名词解释 横向扩散
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本题答案：由于光刻胶无法承受高温过程，扩散的掩膜都是二氧化硅或氮
本题解析：试题答案由于光刻胶无法承受高温过程，扩散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。当原子扩散进入硅片，它们向各个方向运动：向硅的内部，横向和重新离开硅片。假如杂质原子沿硅片表面方向迁移，就发生了横向扩散。
12、问答题 简述离子注入工艺中退火的主要作用？
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本题答案：由于离子注入所造成的损伤区及畸形团，增加了散射中心及陷
本题解析：试题答案由于离子注入所造成的损伤区及畸形团，增加了散射中心及陷阱能级，使迁移率和寿命等半导体参数下降。此外，大部分的离子在被注入时并不位于替位位置，未退火之前的注入区域将呈显高阻区。为（1）激活被注入的离子（使其变成替位杂质）；（2）恢复有序的晶格结构（如果是无定形结构，就谈不上替位杂质与间隙杂质），其目的是恢复迁 移率（减少散射中心）和恢复寿命（减少缺陷能级，减少陷阱），必须在适当的时间与温度下将半导体退火。
13、填空题 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。
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本题答案：化学作用；物理作用；化学作用与物理作用混合
本题解析：试题答案化学作用；物理作用；化学作用与物理作用混合
14、判断题 二氧化硅是一种介质材料，不导电。
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本题答案：对
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15、问答题 说明APCVDLPCVDPECVD各自的含义及特点。
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本题答案：含义：APCVD——常压化学气
本题解析：试题答案含义：APCVD——常压化学气相沉积法；LPCVD——低压化学气相沉积法；PECVD——等离子体增强型化学气相沉积法。
特点：APCVD制程发生在大气压力常压下，适合在开放环境下进行自动化连续生产。APCVD易于发气相反应，沉积速率较快，可超过1000A/min，适合沉积厚介质层。但由于反应速度较快，两种反应气体在还未到达硅片表面就已经发生化学反应而产生生成物颗粒，这些生成物颗粒落在硅片表面，影响硅片表面的薄膜生长过程，比较容易形成粗粗糙的多孔薄膜，使得薄膜的形貌变差.
低气压（133.3PA.下的CVD较长的平均自由路径可减少气相成核几率，减少颗粒，不需气体隔离，成膜均匀性好；晶圆垂直装载和提高生产力；但是反应速率较低，需要较高的衬底温度。
APCVD通常使用稀释的硅烷（在氮中占3%）和LPCVD使用纯硅烷。
PECVD低温下有高的沉积速率；射频在沉积气体中感应等离子体场；表面所吸附的原子不断受到离子与电子的轰击容易迁移使成膜均匀性好台阶覆盖性好；射频控制沉积薄膜的应力；反应室可用等离子体清洗。
16、判断题 对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
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本题答案：错
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17、判断题 CD越小，源漏结的掺杂区越深。
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本题答案：对
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18、填空题 芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。
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本题答案：光刻区；注入区；薄膜区
本题解析：试题答案光刻区；注入区；薄膜区
19、判断题 世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。
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本题答案：错
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20、判断题 离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
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本题答案：对
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21、判断题 硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。
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本题答案：对
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22、问答题 简述BGA的安装互联技术？
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本题答案：安装前需检查BGA焊球的共面性以及有无脱落，BGA在P
本题解析：试题答案安装前需检查BGA焊球的共面性以及有无脱落，BGA在PWB上的安装与目前的SMT工艺设备和工艺基本兼容。
先将低熔点焊膏用丝网印制到PWB上的焊区作列上，用安装设备将BGA对准放在印有焊膏的焊区上，然后进行标准的SMT再流焊。
23、判断题 旋涂膜层是一种传统的平坦化技术，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。
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本题答案：对
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24、判断题 人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。
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本题答案：对
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25、判断题 在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。
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本题答案：对
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26、问答题 简述MCM的BGA封装？
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本题答案：BGA封装适用于MCM封装，能够实现MCM的高密度，高性能。
本题解析：试题答案BGA封装适用于MCM封装，能够实现MCM的高密度，高性能。
27、问答题 简述焊接材料？
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本题答案：焊接材料是指焊接时所消耗材料，有软焊接材料，Sn—Pb，低于
本题解析：试题答案焊接材料是指焊接时所消耗材料，有软焊接材料，Sn—Pb，低于450摄氏度，还有硬焊接材料。
28、名词解释 间隙式扩散
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本题答案：间隙式扩散指间隙式杂质从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置。
本题解析：试题答案间隙式扩散指间隙式杂质从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置。
29、判断题 离子注入是一个物理过程，不发生化学反应。
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本题答案：对
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30、问答题 倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？
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本题答案：蒸镀焊料凸点：蒸镀焊料凸点有两种方法，一种是C4技术，
本题解析：试题答案蒸镀焊料凸点：蒸镀焊料凸点有两种方法，一种是C4技术，整体形成焊料凸点；
电镀焊料凸点：电镀焊料是一个成熟的工艺。先整体形成UBM层并用作电镀的导电层，然后再用光刻胶保护不需要电镀的地方。电镀形成了厚的凸点。
印刷焊料凸点：焊膏印刷凸点是一种广泛应用的凸点形成方法。印刷凸点是采用模板直接将焊膏印在要形成凸点的焊盘上，然后经过回流而形成凸点钉头焊料凸点：这是一种使用标准的球形导线键合技术在芯片上形成的凸点方法。可用Au丝线或者Pb基的丝线。
化学凸点：化学镀凸点是一种利用强还原剂在化学镀液中将需要镀的金属离子还原成该金属原子沉积在镀层表面形成凸点的方法。
31、填空题 列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。
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本题答案：掺杂阻挡；表面钝化；金属层间介质
本题解析：试题答案掺杂阻挡；表面钝化；金属层间介质
32、判断题 西门子工艺生产的硅没有按照希望的晶体顺序排列原子。
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本题答案：对
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33、判断题 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
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本题答案：错
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34、判断题 离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。
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本题答案：对
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35、判断题 用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。
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本题答案：对
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36、判断题 纯净的半导体是一种有用的半导体。
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本题答案：错
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37、填空题 热氧化工艺的基本设备有三种（）、（）和（）。
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本题答案：卧式炉；立式炉；快速热处理炉
本题解析：试题答案卧式炉；立式炉；快速热处理炉
38、名词解释 蒸发镀膜
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本题答案：加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸汽流并
本题解析：试题答案加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸汽流并入射到硅片（衬底）表面，凝结形成固态薄膜。
39、判断题 栅氧一般通过热生长获得。
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本题答案：对
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40、判断题 在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。
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本题答案：对
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41、判断题 硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
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本题答案：错
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42、问答题 插装元器件的结构特点及应用？
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本题答案：结构特点：插装元器件的管脚都带有引线，引脚从封装两侧引
本题解析：试题答案结构特点：插装元器件的管脚都带有引线，引脚从封装两侧引出，适合进行插装，封装材料有塑料和陶瓷两种。插装元器件的引脚节距多为2.54mm，引脚一般在4—64之间。
应用：应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
43、名词解释 保形覆盖
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本题答案：保形覆盖是指无论衬底表面有什么样的倾斜图形在所有图形的
本题解析：试题答案保形覆盖是指无论衬底表面有什么样的倾斜图形在所有图形的上面都能沉积有相同厚度的薄膜。
44、填空题 选择性氧化常见的有（）和（），其英语缩略语分别为LOCOS和（）。
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本题答案：局部氧化；浅槽隔离；STI
本题解析：试题答案局部氧化；浅槽隔离；STI
45、判断题 大马士革工艺来源于一种类似精制的镶嵌首饰或艺术品的图案。
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本题答案：对
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46、问答题 与普通溅射法相比，磁控溅射的特点是什么？
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本题答案：普通溅射法有两个缺点：一是溅射方法淀积薄膜的速率低；二
本题解析：试题答案普通溅射法有两个缺点：一是溅射方法淀积薄膜的速率低；二是所需的工作气压较高，这两者综合效果是气体分子对薄膜产生的污染的可能性提高。磁控溅射：使电子的路径不再是直线，而是螺旋线，增加了与气体原子发生碰撞的几率，在同样的电压和气压下可以提高电离的效率，提高了沉积速率.该方法淀积速率可比其他溅射方法高出一个数量级，薄膜质量好。这是磁场有效地提高了电子与气体分子的碰撞几率，因而工作气压可以明显下降，较低的气压条件下溅射原子被散射的几率减小。这一方面降低了薄膜污染的倾向，另一方面也将提高入射到衬底表面原子的能量，因而可以很到程度上改善薄膜质量。
47、判断题 高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
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本题答案：对
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48、填空题 硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。
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本题答案：热生长；淀积；薄膜
本题解析：试题答案热生长；淀积；薄膜
49、问答题 扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
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本题答案：扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方
本题解析：试题答案扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。离子注入杂质所形成的浓度分布：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。
（1）.离子注入掺杂的优势：相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度，较低的温度适合对化合物半导体进行掺杂，因为高温下化合物的组分可能发生变化，另外，较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜，热扩散方法的掩膜必须是耐高温材料。
（2）离子注入掺杂的缺点：主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。
50、填空题 热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。
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本题答案：高温；时间；温度
本题解析：试题答案高温；时间；温度
51、判断题 芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸，即CD。
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本题答案：对
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52、问答题 简述模塑料？
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本题答案：模塑料与常见的热塑性塑料相比，模塑料具有更高的几何尺寸
本题解析：试题答案模塑料与常见的热塑性塑料相比，模塑料具有更高的几何尺寸稳定性、更耐极端高热高湿复杂环境、耐化学品腐蚀、高机械强度等特点。其基本构成为：基体（10-30%）（高分子化合物树脂）、环氧树脂、硅酮树脂、1，2-聚丁二烯酯树脂、添加剂（60-90%）、固化剂、催化剂、填充剂（SiO2）、阻燃剂、脱模剂、染色剂。
53、填空题 制作钨塞的主要工艺步骤是：1、（）；2、（）；3、（）；4、磨抛钨。
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本题答案：钛淀积阻挡层；氮化钛淀积；钨淀积
本题解析：试题答案钛淀积阻挡层；氮化钛淀积；钨淀积
54、填空题 在半导体制造业中，最早的互连金属是（），在硅片制造业中最普通的互连金属是（），即将取代它的金属材料是（）。
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本题答案：铝；铝；铜
本题解析：试题答案铝；铝；铜
55、判断题 投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。
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本题答案：错
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56、填空题 CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。
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本题答案：融化了的半导体级硅液体；有正确晶向的；被掺杂成p型或n型
本题解析：试题答案融化了的半导体级硅液体；有正确晶向的；被掺杂成p型或n型
57、判断题 关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。
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本题答案：对
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58、判断题 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
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本题答案：对
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59、填空题 集成电路的制造分为五个阶段，分别为（）、（）、硅片测试和拣选、（）、终测。
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本题答案：硅片制造备；硅片制造；装配和封装
本题解析：试题答案硅片制造备；硅片制造；装配和封装
60、判断题 平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著变化。
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本题答案：对
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61、判断题 在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。
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本题答案：对
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62、填空题 对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是（）、高黏附性、（）、（）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。
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本题答案：导电率；淀积；平坦化
本题解析：试题答案导电率；淀积；平坦化
63、填空题 制作通孔的主要工艺步骤是：1、（）；2、（）；3、（）。
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本题答案：第一层层间介质氧化物淀积；氧化物磨抛；第十层掩模和第一层层间
本题解析：试题答案第一层层间介质氧化物淀积；氧化物磨抛；第十层掩模和第一层层间介质刻蚀
64、填空题 单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。
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本题答案：CZ法；区熔法；硅锭
本题解析：试题答案CZ法；区熔法；硅锭
65、问答题 其它表面组装元件主要是指哪些元件？这些元件各有什么特点？分别用在哪些场合？
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本题答案：磁珠，二极管。
磁珠特点：是由铁氧体材料和导
本题解析：试题答案磁珠，二极管。
磁珠特点：是由铁氧体材料和导体线圈组成的叠层型独石结构，因在高温下烧结而成，因而致密性好、可靠性高。
磁珠应用场合：广泛应用于开关电源、遥控玩具、传真机、激光打印机及电子钟表等通讯和消费类电子领域。磁珠是EMC设计中常使用的元件，在EMC对策中占重要位置。二极管特点：有单向导电性，片式封装，贴片焊接。
二极管应用场合：可分为开关二极管，变容二极管，稳压片式二极管，整流二极管，瞬间抑制二极管，发光二极管，适合于高频、大电流、低电压整流电路以及微波电子混频电路、检波电路、高频数字逻辑电路等。
66、问答题 常用的半导体材料为何选择硅？
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本题答案：1）硅的丰裕度。硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的
本题解析：试题答案1）硅的丰裕度。硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的25%；经合理加工，硅能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度而消耗更低的成本。
2）更高的熔化温度允许更宽的工艺容限。硅1412℃>锗937℃。
3）更宽的工作温度。用硅制造的半导体件可以用于比锗更宽的温度范围，增加了半导体的应用范围和可靠性。
4）氧化硅的自然生成。氧化硅是一种高质量、稳定的电绝缘材料，而且能充当优质的化学阻挡层以保护硅不受外部沾污；氧化硅具有与硅类似的机械特性，允许高温工艺而不会产生过度的硅片翘曲。
67、名词解释 物理气相沉积
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本题答案：“物理气相沉积”通常指满意下面
本题解析：试题答案“物理气相沉积”通常指满意下面三个步骤的一类薄膜生长技术：A.所生长的材料以物理的方式由固体转化为气体；B.生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底；C.蒸汽在衬底表面上凝聚，形成薄膜。
68、名词解释 恒定表面源扩散
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本题答案：在整个扩散过程中，杂质不断进入硅中，而表面杂质浓度始终
本题解析：试题答案在整个扩散过程中，杂质不断进入硅中，而表面杂质浓度始终保持不变。
69、判断题 冶金级硅的纯度为98%。
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本题答案：对
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70、问答题 简述引线材料？
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本题答案：用于集成电路引线的材料，需要注意的特性为电特性、绝缘性
本题解析：试题答案用于集成电路引线的材料，需要注意的特性为电特性、绝缘性质、击穿、表面电阻热特性，玻璃化转化温度、热导率、热膨胀系数，机械特性，扬氏模量、泊松比、刚度、强度，化学特性，吸潮、抗腐蚀。
71、填空题 制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、（）。
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本题答案：制备工业硅；生长硅单晶；提纯
本题解析：试题答案制备工业硅；生长硅单晶；提纯
72、判断题 CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换器。
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本题答案：对
本题解析：暂无解析
73、填空题 硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。
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本题答案：预淀积；推进；激活
本题解析：试题答案预淀积；推进；激活
74、问答题 简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？
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本题答案：对晶体进行离子注入时，当离子注入的方向与与晶体的某个晶
本题解析：试题答案对晶体进行离子注入时，当离子注入的方向与与晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿沟道运动，受到的核阻止作用很小，而且沟道中的电子密度很低。受到的电子阻止也很小，这些离子的能量损损失率很低，注入深度就会大于无定形衬底中深度，这种现象称为沟道效应。
沟道效应的存在，使得离子注入的浓度很难精确控制，因为它会使离子注入的分布产生一个很厂的拖尾，偏离预计的高斯分布规律。
沟道效应降低的技巧：
（1）、覆盖一层非晶体的表面层、将硅晶片转向或在硅晶片表面制造一个损伤的表层。
（2）、将硅晶片偏离主平面5-10度，也能有防止离子进入沟道的效果。
（3）、先注入大量硅或锗原子以破坏硅晶片表面，可在硅晶片表面产生一个随机层。
75、问答题 简述MCM的组装技术？
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本题答案：MCM一般采用DCA（裸芯片直接安装技术）或CSP，可
本题解析：试题答案MCM一般采用DCA（裸芯片直接安装技术）或CSP，可使电路图形线宽达到几微米到几十微米的等级。在MCM基础上设计的与外部电路连接的扁平引线间距为0.5mm，把几块MCM利用SMT组装在普通的PCB上即可实现系统的功能。它是为适应现代电子系统短、小、轻、薄和高速、高性能、高可靠性、低成本的发展方向而在多层印制板（PCB.和表面安装技术（SMT）的基础上发展起来的新一代微电子封装与组装技术。
76、判断题 在CMP设备中被广泛采用的终点检测方法是光学干涉终点检测。
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本题答案：对
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77、判断题 光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
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本题答案：对
本题解析：暂无解析
78、判断题 集成电路是由Kilby和Noyce两人于1959年分别发明，并共享集成电路的专利。
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本题答案：对
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79、填空题 CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。
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本题答案：全局平坦化；磨料；压力
本题解析：试题答案全局平坦化；磨料；压力
80、填空题 硅片平坦化的四种类型分别是（）、部分平坦化、（）和（）。
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本题答案：平滑；局部平坦化；全局平坦化
本题解析：试题答案平滑；局部平坦化；全局平坦化
81、名词解释 化学气相沉积
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本题答案：化学气体或蒸气和晶圆表面的固体产生反应，在表面上以薄膜形式产
本题解析：试题答案化学气体或蒸气和晶圆表面的固体产生反应，在表面上以薄膜形式产生固态的副产品，其它的副产品是挥发性的会从表面离开。
82、填空题 扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态（）扩散、（）扩散和（）扩散。
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本题答案：气相；液相；固相
本题解析：试题答案气相；液相；固相
83、问答题 片式钽电解电容和铝电解电容有什么主要特点和主要差别？
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本题答案：片式钽电解电容器：是用金属钽做正极，用稀硫酸等配液做负
本题解析：试题答案片式钽电解电容器：是用金属钽做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽表面生成的氧化膜作为介质制成。矩形钽电解电容外壳为有色塑料封装，一端印有深色标志线，为正极，在封面上有电容量的数值及耐压值，一般有醒目的标志，以防用错。
铝电解电容：以金属铝为正极，其表面氧化膜作为介质，电解液作为负极的电容，液体电解质片式铝电解电容器的特点：它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质，插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理，做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性，适于电源滤波或低频电路中，使用时，正、负极不能接反。
84、填空题 如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（）、（）或者在器件中产生不希望的（）。
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本题答案：膜应力；电短路；诱生电荷
本题解析：试题答案膜应力；电短路；诱生电荷
85、判断题 在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
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本题答案：错
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86、名词解释 溅射镀膜
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本题答案：溅射镀膜是利用电场对辉光放电过程中产生出来的带电离子进
本题解析：试题答案溅射镀膜是利用电场对辉光放电过程中产生出来的带电离子进行加速，使其获得一定的动能后，轰击靶电极，将靶电极的原子溅射出来，沉积到衬底形成薄膜的方法。
87、判断题 传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。
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本题答案：对
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88、填空题 制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。
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本题答案：硅衬底；微芯片；芯片
本题解析：试题答案硅衬底；微芯片；芯片
89、判断题 LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。
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本题答案：对
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90、问答题 简述MCM的设计？
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本题答案：将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种设计。要使
本题解析：试题答案将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种设计。要使用多层互联基板的制作，芯片连接两种技术，芯片连接可以用打线键合，TAB或C4，基板可以使用陶瓷、金属、高分子材料，利用厚膜，薄膜或多层陶瓷共烧等技术制成的互连结构。
91、判断题 多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。
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本题答案：错
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92、判断题 硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料，在随后的工艺中要清洗去除。
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本题答案：对
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93、填空题 写出三种半导体制造业的金属和合金（）、（）和（）。
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本题答案：Al；Cu；铝铜合金
本题解析：试题答案Al；Cu；铝铜合金
94、判断题 离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。
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本题答案：对
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95、问答题 载带自动焊的分类及结构特点？
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本题答案：TAB按其结构和形状可分为
Cu箔单层带：<
本题解析：试题答案TAB按其结构和形状可分为
Cu箔单层带：
Cu的厚度为35-70um，
Cu-PI双层带
Cu-粘接剂-PI三层带
Cu-PI-Cu双金属
96、判断题 P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
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本题答案：对
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97、问答题 片式电感器的类型主要有几种？其结构各有什么特点？
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本题答案：片式电感器从制造工艺来分，片式电感器主要有4种类型，即
本题解析：试题答案片式电感器从制造工艺来分，片式电感器主要有4种类型，即绕线型、叠层型、编织型和薄膜片式电感器。
其中，绕线式是传统绕线电感器小型化的产物，叠层式则采用多层印刷技术和叠层生产工艺制作，体积比绕线型片式电感器还要小，是电感元件领域重点开发的产品。片式电感器现状与发展趋势由于微型电感器要达到足够的电感量和品质因数（Q）比较困难，同时由于磁性元件中电路与磁路交织在一起，制作工艺比较复杂，故作为三大基础无源元件之一的电感器片式化，明显滞后于电容器和电阻器。
特点：绕线型它的特点是电感量范围广（mH～H），电感量精度高，损耗小（即Q大），容许电流大、制作工艺继承性强、简单、成本低等，但不足之处是在进一步小型化方面受到限制。陶瓷为芯的绕线型片电感器在这样高的频率能够保持稳定的电感量和相当高的Q值，因而在高频回路中占据一席之地。
NLC型适用于电源电路，额定电流可达300mA；NLV型为高Q值，环保（再造塑料），可与NL互换；NLFC有磁屏，适用于电源线。
叠层型：它具有良好的磁屏蔽性、烧结密度高、机械强度好。不足之处是合格率低、成本高、电感量较小、Q值低。
它与绕线片式电感器相比有诸多优点：尺寸小，有利于电路的小型化，磁路封闭，不会干扰周围的元器件，也不会受临近元器件的干扰，有利于元器件的高密度安装；一体化结构，可靠性高；耐热性、可焊性好；形状规整，适合于自动化表面安装生产。
薄膜片式：具有在微波频段保持高Q、高精度、高稳定性和小体积的特性。其内电极集中于同一层面，磁场分布集中，能确保装贴后的器件参数变化不大，在100MHz以上呈现良好的频率特性。
编织型：特点是在1MHz下的单位体积电感量比其它片式电感器大、体积小、容易安装在基片上。用作功率处理的微型磁性元件。
98、填空题 刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。
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本题答案：被刻蚀图形的侧壁形状；各向同性；各向异性
本题解析：试题答案被刻蚀图形的侧壁形状；各向同性；各向异性
99、判断题 LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。
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本题答案：错
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100、问答题 堆叠封装的发展趋势？
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本题答案：当前半导体封装发展的趋势是越来越多的向高频、多芯片模块
本题解析：试题答案当前半导体封装发展的趋势是越来越多的向高频、多芯片模块（MCM），系统集成（SiP）封装，堆叠封装（PiP，PoP）发展，出现了半导体装配与传统电路板装配间的集成，如倒装晶片直接在终端产品装配。元件堆叠技术是在业已成熟的倒装晶片装配技术上发展起来的。
101、判断题 阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。
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本题答案：错
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102、判断题 光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
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本题答案：对
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103、判断题 反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。
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本题答案：错
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104、判断题 半导体级硅的纯度为99.9999999%。
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本题答案：对
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105、填空题 CZ直拉法的目的是（）。
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本题答案：实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且
本题解析：试题答案实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中
106、判断题 离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。
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本题答案：对
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107、名词解释 有限表面源扩散
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本题答案：扩散开始时，表面放入一定量的杂质源，而在以后的扩散过程
本题解析：试题答案扩散开始时，表面放入一定量的杂质源，而在以后的扩散过程中不再有杂质加入，此种扩散称为有限源扩散。
108、填空题 终点检测是指（）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（）和（）。
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本题答案：CMP设备；电机电流终点检测；光学终点检测
本题解析：试题答案CMP设备；电机电流终点检测；光学终点检测
109、判断题 当硅片暴露在空气中时，会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。
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本题答案：对
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110、填空题 缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
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本题答案：等离子体增强化学气相淀积；低压化学气相淀积；常压化学气相淀积
本题解析：试题答案等离子体增强化学气相淀积；低压化学气相淀积；常压化学气相淀积
111、问答题 简述多层印制电路基板制造工艺？
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本题答案：裁板、内层前处理、压膜、曝光、DES连线、CCD冲孔、
本题解析：试题答案裁板、内层前处理、压膜、曝光、DES连线、CCD冲孔、AOI检验、VRS确认、棕化、铆钉、叠板、压合、后处理、上PIN、下PIN。
112、判断题 表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。
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本题答案：错
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113、填空题 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
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本题答案：间隙式扩散机制；替代式扩散机制；激活杂质后
本题解析：试题答案间隙式扩散机制；替代式扩散机制；激活杂质后
114、判断题 接触是由导电材料如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。
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本题答案：错
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115、判断题 CD是指硅片上的最小特征尺寸。
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本题答案：对
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116、判断题 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。
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本题答案：对
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117、判断题 对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
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本题答案：对
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118、填空题 在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
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本题答案：相同；同质外延；异质外延
本题解析：试题答案相同；同质外延；异质外延
119、问答题 简述MCM的概念、分类与特性？
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本题答案：概念：将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装
本题解析：试题答案概念：将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。
分类：MCM-L是采用片状多层基板的MCM、MCM-C是采用多层陶瓷基板的MCM、MCM-D是采用薄膜技术的MCM。
特性：尺寸小、技术集成度高、数据速度和信号质量高、可靠性高、成本低、PCB板设计简化、提高圆片利用率、降低投资风险。可大幅度提高电路连线密度，增加封装效率；可完成轻、薄、短、小的封装设计；封装的可靠性提升。
120、判断题 CMP带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕。小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区，可能引起同一层金属之间的断路。
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本题答案：对
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121、填空题 从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、（）和（）。
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本题答案：100；110；111
本题解析：试题答案100；110；111
122、判断题 区熔法是20世纪50年代发展起来的，能生产到目前为止最纯的硅单晶，含氧量非常少。
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本题答案：对
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123、问答题 BGA的封装结构和主要特点？
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本题答案：封装结构：BGA球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板
本题解析：试题答案封装结构：BGA球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按阵列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点阵列载体（PAC.。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。焊球材料为低熔点共晶焊料合金，直径约1mm，间距范围1.27-2.54mm，焊球采用低熔点焊料合金连接在基板底部，组装时焊球熔融，与PCB表面焊盘接合在一起，呈现桶状。
特点：BGA引脚很短，使信号路径短，减小了引脚电感和电容，改善了电性能。BGA有利于散热。BGA也适合MCM的封装，有利于实现MCM的高密度、高性能。
124、判断题 溅射是个化学过程，而非物理过程。
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本题答案：错
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125、判断题 虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
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本题答案：对
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126、判断题 没有来源:91考试网 91ExaM.orgCMP，就不可能生产甚大规模集成电路芯片。
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本题答案：错
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127、问答题 简述MCM的测试技术？
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本题答案：测试费用高：高测试费用提醒设计者在做设计决策时必须仔细
本题解析：试题答案测试费用高：高测试费用提醒设计者在做设计决策时必须仔细考虑测试问题。一种新设计的MCM所要进行的测试比一种成熟的MCM测试更为复杂。
测试独特：裸芯片需要用探针台测试，因此现在可以向封装厂提供良品单芯片（KGD.或高可靠芯片来提高在封装、老化和环境试验以后的成品率。
测试复杂：封装后MCM的测试一般包括对每一个独立芯片的测试，测试检查它在封装过程包括内部芯片互连中是否损坏
功能测试：MCM的功能测试从数字矢量到环境测试，从高频到大功率，可能包含非常不同的测试类型。
128、判断题 干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
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本题答案：对
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129、判断题 刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。
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本题答案：对
本题解析：暂无解析
130、判断题 氧化物有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。
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本题答案：对
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131、判断题 快速热处理是一种小型的快速加热系统，带有辐射热和冷却源，通常一次处理一片硅片。
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本题答案：对
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132、判断题 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
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本题答案：对
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133、填空题 立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（）、（）和（）组成。
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本题答案：石英工艺腔；加热器；石英舟
本题解析：试题答案石英工艺腔；加热器；石英舟
134、判断题 硅片制造厂可分为六个独立的区域，各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。
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本题答案：错
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135、判断题 离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
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本题答案：对
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136、填空题 集成电路的发展时代分为（）、中规模集成电路MSI、（）、超大规模集成电路VLSI、（）。
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本题答案：小规模集成电路SSI；大规模集成电路LSI；甚大规模集成电路
本题解析：试题答案小规模集成电路SSI；大规模集成电路LSI；甚大规模集成电路ULSI
137、问答题 表面组装电阻器主要有哪几类？各有什么特点？
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本题答案：可分为矩形片式电阻器，圆柱形片式电阻器。其中矩形片式电
本题解析：试题答案可分为矩形片式电阻器，圆柱形片式电阻器。其中矩形片式电阻器的基板由高纯氧化铝做成，电阻材料用镀膜溅射的方法涂与基板表面，用玻璃纯化的方法形成保护膜，在矩形的两边为可焊端，即引线端。
138、问答题 载带自动焊的关键技术有哪些？
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本题答案：TAB的关键技术主要包括三个部分：
一是芯片
本题解析：试题答案TAB的关键技术主要包括三个部分：
一是芯片凸点的制作技术；
二是TAB载带的制作技术；
三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外，还可以单独进行倒装焊。
139、填空题 随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。
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本题答案：介质；金属；CMP
本题解析：试题答案介质；金属；CMP
140、问答题 简述芯片粘结材料？
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本题答案：通常采用粘接技术实现管芯与底座的连接的材料。要求机械强
本题解析：试题答案通常采用粘接技术实现管芯与底座的连接的材料。要求机械强度、化学性能稳定、导电、导热、热匹配、低固化温度、可操作性。
主要的粘结技术为：银浆粘接技术、低熔点玻璃粘接技术、导电胶粘接技术、环氧树脂粘接技术、共晶焊技术。
141、填空题 扩散是物质的一个基本性质，描述了（）的情况。其发生有两个必要条件（）和（）。
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本题答案：一种物质在另一种物质中的运动；一种材料的浓度必须高于另一种材
本题解析：试题答案一种物质在另一种物质中的运动；一种材料的浓度必须高于另一种材料的浓度；系统内必须有足够的能量使高浓度的材料进入或通过另一种材料
142、问答题 埋层芯片互联－后布线技术的结构特点及发展趋势？
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本题答案：结构特点：
先布线焊接互联技术：在各类基板上
本题解析：试题答案结构特点：
先布线焊接互联技术：在各类基板上的金属化布线焊区上焊接各类IC芯片，即先布线而后焊接，称为先布线焊接互联技术。埋层芯片互联技术（后布线技术）：先将IC芯片埋置到基板或PI介质层中后，再统一进行金属布线，将IC芯片的焊区与布线金属自然相连。这种芯片焊区与基板焊区间的互联属金属布线的一部分，互连已无任何“焊接”的痕迹。这种先埋置IC芯片再进行金属布线的技术称为后布线技术。
发展趋势：
埋置芯片互连还可进一步提高电子组装密度，是进一步实现立体封装的一种有效的形式。它的最明显好处是可以消除传统的IC芯片与基板金属焊区的各类焊接点，从而提高电子产品的可靠性。而Si基板除了以上两种埋置芯片互连技术外，还可以利用半导体IC芯片制造工艺，先在Si基板内制作所需的各类有源器件后再布线与各有源器件的焊区互连。在这种内含有源器件的Si基板上再进行多层布线，埋置IC芯片，将有更高的集成度。
143、名词解释 替位式扩散
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本题答案：占据晶格位置的外来原子称为替位杂质。只有当替位杂质的近
本题解析：试题答案占据晶格位置的外来原子称为替位杂质。只有当替位杂质的近邻晶格上出现空位，替位杂质才能比较轻易地运动到近邻空位上。
144、判断题 接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。
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本题答案：对
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145、判断题 步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
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本题答案：错
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146、填空题 目前常用的CVD系统有（）、（）和（）。
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本题答案：APCVD；LPCVD；PECVD
本题解析：试题答案APCVD；LPCVD；PECVD
147、判断题 APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。
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本题答案：对
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148、判断题 与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。
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本题答案：对
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149、填空题 淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。
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本题答案：晶核形成；聚焦成束；汇聚成膜
本题解析：试题答案晶核形成；聚焦成束；汇聚成膜
150、判断题 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
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本题答案：对
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151、问答题 硅锭直径从20世纪50年代初期的不到25mm增加到现在的300mm甚至更大，其原因是什么？
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本题答案：（1）更大直径硅片有更大的表面积做芯片，能够减少硅片的
本题解析：试题答案（1）更大直径硅片有更大的表面积做芯片，能够减少硅片的浪费。
（2）每个硅片上有更多的芯片，每块芯片的加工和处理时间减少，导致设备生产效率变高。
（3）在硅片边缘的芯片减少了，转化为更高的生产成品率。
（4）在同一工艺过程中有更多芯片，所以在一块芯片一块芯片的处理过程中，设备的重复利用率提高了。
152、判断题 85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。
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本题答案：对
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153、判断题 晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。
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本题答案：对
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154、判断题 电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。
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本题答案：对
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155、判断题 不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。
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本题答案：对
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156、判断题 热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。
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本题答案：对
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157、判断题 掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。
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本题答案：错
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158、问答题 测试过程4要素？
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本题答案：检测：确定被测器件（DUT）是否具有或者不具有某些故障
本题解析：试题答案检测：确定被测器件（DUT）是否具有或者不具有某些故障。
诊断：识别表现于DUT的特定故障。
器件特性的描述：确定和校正设计或者测试中的错误。
失效模式分析（FMA.：确定引起DUT缺陷制造过程中的错误。
159、判断题 侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。
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本题答案：对
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160、判断题 CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。
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本题答案：对
本题解析：暂无解析
161、判断题 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
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本题答案：错
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162、判断题 CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。
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本题答案：错
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163、判断题 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。
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本题答案：错
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164、填空题 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
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本题答案：正性光刻；负性光刻胶；正性光刻胶
本题解析：试题答案正性光刻；负性光刻胶；正性光刻胶
165、判断题 大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
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本题答案：对
本题解析：暂无解析
166、问答题 插装元器件与表面贴装元器件主要区别？
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本题答案：表面贴装元器件体积小，便于小型化生产，便于减小成品尺寸
本题解析：试题答案表面贴装元器件体积小，便于小型化生产，便于减小成品尺寸。表面贴装管脚引线短，降低了其特性中附加的电感和电容成分，尤其在高频电路中，表面贴装成本低，便于批量生产。
167、判断题 扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。
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本题答案：对
本题解析：暂无解析
168、问答题 片式瓷介电容器主要有哪几种类型？各有什么主要特点？
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本题答案：片式瓷介电容器：单层的电极烧结构成陶瓷芯片，再外加电极
本题解析：试题答案片式瓷介电容器：单层的电极烧结构成陶瓷芯片，再外加电极，形成电容器。
多层片式瓷介电容器：由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。
169、问答题 简述干氧氧化与湿氧氧化各自的特点，通常用哪种工艺制备较厚的二氧化硅层？
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本题答案：干氧氧化：（优）结构致密，表面平整光亮；对杂质掩蔽能力
本题解析：试题答案干氧氧化：（优）结构致密，表面平整光亮；对杂质掩蔽能力强；钝化效果好；生长均匀性、重复性好；表面对光刻胶的粘附好，（缺）生长速率非常慢。
湿氧氧化：（优）生长速率介于干O2与水汽氧化之间；可由水温、炉温调节生长速率，工艺灵活性大；对杂质的掩蔽能力、钝化效果能满足工艺要求，（缺）表面存在羟基使其对光刻胶的粘附不好。
通常用湿氧氧化工艺制备较厚的二氧化硅层。在实际生产中，对于制备较厚的二氧化硅层来说往往采用干氧-湿氧-干氧相结合的氧化方式，既保证了二氧化硅层表面和Si-SiO2界面的质量，有解决了生长效率的问题。
170、判断题 多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。
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本题答案：对
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171、问答题 简述引线框架材料？
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本题答案：引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、
本题解析：试题答案引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用。引线框架材料的要求为：热匹配，良好的机械性能，导电、导热性能好，使用过程无相变，材料中杂质少，低价，加工特性和二次性能好。
172、判断题 在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
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本题答案：对
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173、问答题 引线键合技术的分类及结构特点？
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本题答案：1、热压焊：热压焊是利用加热和加压力，使焊区金属发生塑
本题解析：试题答案1、热压焊：热压焊是利用加热和加压力，使焊区金属发生塑性形变，同时破坏压焊界面上的氧化层，使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引力范围，从而使原子间产生吸引力，达到“键合”的目的。
2、超声焊：超声焊又称超声键合，它是利用超声波（60-120kHz）发生器产生的能量，通过磁致伸缩换能器，在超高频磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动经变幅杆传给劈刀，使劈刀相应振动；同时，在劈刀上施加一定的压力。于是，劈刀就在这两种力的共同作用下，带动Al丝在被焊区的金属化层（如Al膜）表面迅速摩擦，使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。这种形变也破坏了Al层界面的氧化层，使两个纯净的金属面紧密接触，达到原子间的“键合”，从而形成牢固的焊接。
3、金丝球焊：球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。这是由于它操作方便、灵活，而且焊点牢固，压点面积大，又无方向性。现代的金丝球焊机往往还带有超声功能，从而又具有超声焊的优点，有的也叫做热（压）（超）声焊。可实现微机控制下的高速自动化焊接。因此，这种球焊广泛地运用于各类IC和中、小功率晶体管的焊接。
174、判断题 传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。
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本题答案：错
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175、判断题 蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖，但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。
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本题答案：错
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176、填空题 根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）、（）和（）。
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本题答案：干氧氧化；湿氧氧化；水汽氧化
本题解析：试题答案干氧氧化；湿氧氧化；水汽氧化
177、问答题 简述CSP的封装技术？
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本题答案：所谓CSP，即芯片尺寸封装。CSP是在BGA基础上发展
本题解析：试题答案所谓CSP，即芯片尺寸封装。CSP是在BGA基础上发展起来的，是接近LSI芯片尺寸的封装产品。这种产品具有以下几个特点：
（1）体积小：CSP是目前体积最小的LSI芯片封装之一。
（2）可容纳的引脚最多：相同尺寸的LSI芯片的各类封装中，CSP的引脚最多。
（3）电性能好：CSP寄生电容很小，信号传输延迟时间短。
（4）散热性能优良：大多数CSP都将芯片面向下安装，能从芯片背面散热，且效果良好。
178、问答题 集成电路测试的分类？
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本题答案：按测试目的分类：验证测试、生产测试（DMP）、验收测试
本题解析：试题答案按测试目的分类：验证测试、生产测试（DMP）、验收测试（避免在系统组装的时候使用有缺陷的器件）、使用测试、参数测试、功能测试、结构测试。
按测试内容分类：数字电路测试、模拟电路测试、混合信号电路测试、存储器测试、SOC测试。
179、填空题 集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。
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本题答案：热扩散；离子注入
本题解析：试题答案热扩散；离子注入
180、填空题 影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。
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本题答案：拉 伸速率；晶体旋转速率
本题解析：试题答案拉伸速率；晶体旋转速率
181、问答题 集成电路测试的意义和基本任务？
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本题答案：意义：集成电路（IC.测试是伴随着集成电路的发展而发展
本题解析：试题答案意义：集成电路（IC.测试是伴随着集成电路的发展而发展的，它对促进集成电路的进步和应用作出了巨大地贡献。
任务：测试的基本任务是生成测试输入，测试系统的基本任务是将测试输入应用于被测器件，并分析其输出的正确性。
182、判断题 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
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本题答案：错
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183、判断题 扩散运动是各向同性的。
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本题答案：错
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184、问答题 晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九个工艺步骤。
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本题答案：Wafer。
（1）单晶硅生长：晶体生长是把
本题解析：试题答案Wafer。
（1）单晶硅生长：晶体生长是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。生长后的单晶硅被称为硅锭。可用CZ法或区熔法。
（2）整型。去掉两端，径向研磨，硅片定位边或定位槽。
（3）切片。对200mm及以上硅片而言，一般使用内圆切割机；对300mm硅片来讲都使用线锯。
（4）磨片和倒角。切片完成后，传统上要进行双面的机械磨片以去除切片时留下的损伤，达到硅片两面高度的平行及平坦。硅片边缘抛光修整，又叫倒角，可使硅片边缘获得平滑的半径周线。
（5）刻蚀。在刻蚀工艺中，通常要腐蚀掉硅片表面约20微米的硅以保证所有的损伤都被去掉。
（6）抛光。也叫化学机械平坦化（CMP），它的目标是高平整度的光滑表面。抛光分为单面抛光和双面抛光。
（7）清洗。半导体硅片必须被清洗使得在发给芯片制造厂之前达到超净的洁净状态。
（8）硅片评估。
（9）包装。
185、判断题 暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
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本题答案：对
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186、填空题 晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。
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本题答案：去掉两端；径向研磨；硅片定位边和定位槽
本题解析：试题答案去掉两端；径向研磨；硅片定位边和定位槽
187、判断题 与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。
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本题答案：对
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188、问答题 简述两步扩散的含义与目的？
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本题答案：为了同时满足对表面浓度、杂质 91eXAm.org总量以及结深等的要求，实际
本题解析：试题答案为了同时满足对表面浓度、杂质总量以及结深等的要求，实际生产中常采用两步扩散工艺：第一步称为预扩散或预淀积，在较低的温度下，采用恒定表面源扩散方式在硅片表面扩散一层杂质原子，其分布为余误差涵数，目的在于控制扩散杂质总量；第二步称为主扩散或再分布，将表面已沉积杂质的硅片在较高温度下扩散，以控制扩散深度和表面浓度，主扩散的同时也往往进行氧化。
189、判断题 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。
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本题答案：对
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190、判断题 曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
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本题答案：对
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