手机用户可保存上方二维码到手机中，在微信扫一扫中右上角选择“从相册选取二维码”即可。

题库试看结束后微信扫下方二维码即可打包下载完整版《电子与通信技术：微电子学》题库，分栏、分答案解析排版、小字体方便打印背记！经广大会员朋友实战检验，此方法考试通过率大大提高！绝对是您考试过关的不二利器！

手机用户可保存上方二维码到手机中，在微信扫一扫中右上角选择“从相册选取二维码”即可。

1、问答题  什么是电路模拟？其在IC设计中的作用？

点击查看答案

本题答案：电路模拟：根据电路的拓扑结构和元件参数将电路问题转换成
本题解析：试题答案电路模拟：根据电路的拓扑结构和元件参数将电路问题转换成适当的数学方程并求解，根据计算结果检验电路设计的正确性。
作用：版图设计前的电路设计，保证电路正确（包括电路结构和元件参数）有单元库支持：单元事先经过电路模拟无单元库支持的全定制设计：由底向上，首先对单元门电路进行电路设计、电路模拟，依此进行版图设计，直至整个电路。
后仿真：考虑了寄生参数，由电路模拟预测电路性能。

2、判断题  微机电系统的制造工艺与IC制造工艺是完全一样的。

点击查看答案

本题答案：错
本题解析：暂无解析

3、填空题  能量最高的是价电子所填充的能带，称为（）。

点击查看答案

本题答案：价带
本题解析：试题答案价带

4、填空题  非晶、（ ）、单晶是固体的三种基本类型。

点击查看答案

本题答案：多晶
本题解析：试题答案多晶

5、问答题  什么是集成电路设计？

点击查看答案

本题答案：根据电路功能和性能的要求，在正确选择系统配置、电路形式
本题解析：试题答案根据电路功能和性能的要求，在正确选择系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下，尽量减小芯片面积，降低设计成本，缩短设计周期，以保证全局优化，设计出满足要求的集成电路。

6、问答题  微电子器件的特征尺寸继续缩小的关键技术有哪些？

点击查看答案

本题答案：第一个关键技术层次：微细加工；
第二个关键技
本题解析：试题答案第一个关键技术层次：微细加工；
第二个关键技术：互连技术；
第三个关键技术：新型器件结构，新型材料体系（高K介质，金属栅电极，低K介质，SOI材料）。

7、问答题  载流子的输运有哪些模式？对这些输运模式进行简单的描述。

点击查看答案

本题答案：载流子的漂移运动：载流子在电场作用下的运动

本题解析：试题答案载流子的漂移运动：载流子在电场作用下的运动
载流子的扩散运动：载流子在化学势作用下运动

8、填空题  所谓（），是指幅度随时间连续变化的信号。

点击查看答案

本题答案：模拟信号
本题解析：试题答案模拟信号

9、填空题  双极型晶体管其有两种基本结构：PNP型和（）型。

点击查看答案

本题答案：NPN
本题解析：试题答案NPN

10、判断题  双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴。

点击查看答案

本题答案：错
本题解析：暂无解析

11、填空题  根据不同的击穿机理，PN结击穿主要分为（）和隧道击穿这两种电击穿。

点击查看答案

本题答案：雪崩击穿
本题解析：试题答案雪崩击穿

12、判断题  SOC指的是系统芯片。

点击查看答案

本题答案：对
本题解析：暂无解析

13、判断题  标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。

点击查看答案

本题答案：错
本题解析：暂无解析

14、填空题  2000年，因发明集成电路而被授予诺贝尔物理学奖的是（）。

点击查看答案

本题答案：基尔比
本题解析：试题答案基尔比

15、问答题  什么是N型半导体？什么是P型半导体？如何获得？

点击查看答案

本题答案：①依靠导带电子导电的半导体叫N型半导体，主要通过掺诸如
本题解析：试题答案①依靠导带电子导电的半导体叫N型半导体，主要通过掺诸如P、Sb等施主杂质获得；②依靠价带空穴导电的半导体叫P型半导体，主要通过掺诸如B、In等受主杂质获得；③掺杂方式主要有扩散和离子注入两种；经杂质补偿半导体的导电类型取决于其掺杂浓度高者。

16、名词解释  工艺模拟

点击查看答案

本题答案：对工艺过程建立数学模型，在某些已知工艺参数的情况下，对
本题解析：试题答案对工艺过程建立数学模型，在某些已知工艺参数的情况下，对工艺过程进行数值求解，计算经过该工序后的杂质浓度分布、结构特性变化（厚度和宽度变化）或应力变化（氧化、薄膜淀积、热过程等引起）。

17、问答题  在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？

点击查看答案

本题答案：①外延：外延生长时控制气相反应中的杂质可以方便地形成不
本题解析： 试题答案①外延：外延生长时控制气相反应中的杂质可以方便地形成不同导电类型、不同杂质浓度且杂质分布陡峭的外延层，满足某些特殊器件对材料结构和杂质分布的特殊要求。可以提高集电结击穿电压，而且比较好地解决了双极集成电路中的隔离问题。
②埋层：减小集电区串联电阻，改善其频率特性。

18、填空题  双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为（）来使用，在电路中得到了大量的应用。

点击查看答案

本题答案：开关
本题解析：试题答案开关

19、填空题  本征半导体的导电能力很弱，热稳定性很（）。

点击查看答案

本题答案：差
本题解析：试题答案差

20、问答题  对门电路而言，高低电平噪声容限受哪些因素影响？

点击查看答案

本题答案：电源电压，器件参数（宽长比、氧化层厚度），电压摆幅本题解析：试题答案电源电压，器件参数（宽长比、氧化层厚度），电压摆幅
①当mV（开关阈值）处在电压摆幅的中点附近时，低电平噪声容限和高电容噪声容限具有相同的值。
②若希望使噪声容限最大并得到对称的特性，可以使PMOS部分比NMOS部分宽以均衡晶体管的驱动强度。
③增益越大，噪声容限越大，当增益为无穷大时，噪声容限横跨整个电压摆幅。
④适当提高电源电压也可以提高噪声容限，但这在TTL电路中不可行。另外，噪声容限也与输入模式有关。

21、填空题  计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做（）。

点击查看答案

本题答案：数字信号
本题解析：试题答案数字信号

22、填空题  集成电路的特征尺寸有时也称线宽，通常是指集成电路中半导体器件的（）。

点击查看答案

本题答案：最小尺度
本题解析：试题答案最小尺度

23、问答题  什么是线性电源？

点击查看答案

本题答案：线性电源是先将交流电经过变压器降低电压幅值，再经过整流
本题解析：试题答案线性电源是先将交流电经过变压器降低电压幅值，再经过整流电路整流后，得到脉冲直流电，后经滤波得到带有微小波纹电压的直流电压。要达到高精度的直流电压，必须经过稳压电路进行稳压。

24、填空题  集成电路的特征尺寸是衡量集成电路加工工艺水平和（）的主要指标。

点击查看答案

本题答案：设计水平
本题解析：试题答案设计水平

25、填空题  在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。

点击查看答案

本题答案：电子
本题解析：试题答案电子

26、名词解释  厄利电压

点击查看答案

本题答案：反向延长晶体管的I-V特性曲线与电压轴交点的电压的绝对
本题解析：试题答案反向延长晶体管的I-V特性曲线与电压轴交点的电压的绝对值。这是因为基区宽变效应导致β随Vce增大而增大，Ic随之增大。

27、填空题  组合逻辑电路的输出状态只与当时的（）有关。

点击查看答案

本题答案：输入状态
本题解析：试题答案输入状态

28、填空题  MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。

点击查看答案

本题答案：CMOS
本题解析：试题答案CMOS

29、填空题  晶体性质的基本特征之一是具有（）。

点击查看答案

本题答案：方向性
本题解析：试题答案方向性

30、问答题  用你自己的话解释微电子学、集成电路的概念？

点击查看答案

本题答案：集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一
本题解析：试题答案集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。

31、填空题  一般认为MOS集成电路功耗低、（），宜用作数字集成电路。

点击查看答案

本题答案：集成度高
本题解析：试题答案集成度高

32、名词解释  平带电压

点击查看答案

本题答案：它表示由于栅极材料和衬底材料间的功函数差以及栅氧化层中固定正
本题解析：试题答案它表示由于栅极材料和衬底材料间的功函数差以及栅氧化层中固定正电荷的影响而引起的电压偏移。

33、填空题  （）集成电路已成为集成电路的主流。

点击查看答案

本题答案：CMOS
本题解析：试题答案CMOS

34、问答题  简述集成电路的分类？

点击查看答案

本题答案：按其处理信号的种类不同可分为：模拟集成电路和数字集成电
本题解析：试题答案按其处理信号的种类不同可分为：模拟集成电路和数字集成电路两大类。
按其制作工艺不同可分为：半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。
按集成度高低不同可分为：小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。
按导电类型不同可分为：双极型集成电路和单极型集成电路两类。

35、判断题  对于一个PN结，如果反偏电压降低，耗尽区宽度将减小。

点击查看答案

本题答案：对
本题解析：暂无解析

36、判断题  在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

点击查看答案

本题答案：对
本题解析：暂无解析

37、判断题  双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。

点击查看答案

本题答案：错
本题解析：暂无解析

38、问答题   什么是集成电路设计？集成电路的设计方法有哪些？

点击查看答案

本题答案：根据电路功能和性能的要求，在正确选择系统配置、电路形式
本题解析：试题答案根据电路功能和性能的要求，在正确选择系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下，尽量减小芯片面积，降低设计成本，缩短设计周期，以保证全局优化，设计出满足要求的集成电路。设计方法：层级设计，全定制法，半定制法，PLD。

39、填空题  晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域：放大区，饱和区，（）。

点击查看答案

本题答案：截止区
本题解析：试题答案截止区

40、名词解释  器件模拟

点击查看答案

本题答案：给定器件结构和掺杂分布，采用数值方法直接求解器件的基本
本题解析：试题答案给定器件结构和掺杂分布，采用数值方法直接求解器件的基本方程，得到直流（DC.、交流（AC.、瞬态特性和某些电学参数））。

41、判断题  从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。 91Exam.org

点击查看答案

本题答案：对
本题解析：暂无解析

42、判断题  对于发光二极管，其内量子效率比外量子效率小。

点击查看答案

本题答案：错
本题解析：暂无解析

43、判断题  同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。

点击查看答案

本题答案：错
本题解析：暂无解析

44、填空题  所谓（），指在时间上和幅度上离散取值的信号。

点击查看答案

本题答案：数字信号
本题解析：试题答案数字信号

45、填空题  反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是（）。

点击查看答案

本题答案：迁移率
本题解析：试题答案迁移率

46、填空题  硅和锗都是Ⅳ族元素，它们具有（）结构。

点击查看答案

本题答案：金刚石晶格
本题解析：试题答案金刚石晶格

47、问答题  集成电路的性能指标有哪些？

点击查看答案

本题答案：集成度、速度、功耗（功耗延迟积，又称电路的优值。功耗延
本题解析：试题答案集成度、速度、功耗（功耗延迟积，又称电路的优值。功耗延迟积越小，集成电路的速度越快或功耗越低，性能越好）、特征尺寸（集成电路中半导体器件的最小尺度）、可靠性。

48、判断题  半导体激光器的工作原理是受激发射。

点击查看答案

本题答案：对
本题解析：暂无解析

49、判断题  EDA是计算机辅助测试的英文简称。

点击查看答案

本题答案：错
本题解析：暂无解析

50、问答题  简述VHDL语言的用途及其电路描述风格？

点击查看答案

本题答案：VHDL语言的用途
（1）对IC设计，支持从
本题解析：试题答案VHDL语言的用途
（1）对IC设计，支持从系统级到门和器件级的电路描述，并具有在不同设计层次上的模拟验证机制；
（2）可作为综合软件的输入语言，支持电路描述由高层向低层的转换VHDL描述电路的风格。
结构体对电路描述的方式：
结构描述：描述电路由哪些模块、如何连接构成的；
数据流描述：使用VHDL内建的运算符描述电路的输入输出关系；
行为描述：使用进程语句，描述电路的行为或者算法。

51、填空题  微电子学是以实现（）的集成为目的的。

点击查看答案

本题答案：电路和系统
本题解析：试题答案电路和系统

52、问答题  集成电路设计流程，三个设计步骤？

点击查看答案

本题答案：A.系统功能设计B.逻辑和电路设计C.版图设计
本题解析：试题答案A.系统功能设计B.逻辑和电路设计C.版图设计

53、填空题  集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、（）、封装等工序。

点击查看答案

本题答案：测试
本题解析：试题答案测试

54、填空题  隧道击穿主要取决于空间电荷区中的（）。

点击查看答案

本题答案：最大电场
本题解析：试题答案最大电场

55、问答题  光电器件主要包括哪几类？简述光电倍增管的基本原理？

点击查看答案

本题答案：（1）光电子器件：光子和电子共同起作用的半导体器件，其
本题解析：试题答案（1）光电子器件：光子和电子共同起作用的半导体器件，其中光子担任主要角色。主要包括三大类：
发光器件：将电能转换为光能，发光二极管半导体激光器；
太阳能电池：将光能转换为电能；
光电探测器：利用电子学方法检测光信号的。
（2）光电倍增管的基本原理：当光照射到光阴极时，光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统，并通过进一步的二次发射得到的倍增放大。然后把放大后的电子用阳极收集作为信号输出。

56、问答题  21世纪硅微电子技术的主要发展方向有哪些？

点击查看答案

本题答案：特征尺寸继续等比例缩小；
集
本题解析：试题答案特征尺寸继续等比例缩小；
集成电路（IC.将发展成为系统芯片（SOC））；
微电子技术与其它领域相结合将产生新的产业和新的学科，例如MEMS、DNA芯片等。

57、判断题  微电子技术的核心是集成电路，中央处理器是集成电路的标志性产品之一。

点击查看答案

本题答案：对
本题解析：暂无解析

58、填空题  双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种（）。

点击查看答案

本题答案：模拟电信号
本题解析：试题答案模拟电信号

59、问答题  经过那些工艺流程可以实现选择“掺杂”？写出工艺流程。

点击查看答案

本题答案：掺杂主要有两种方法，即热扩散和离子注入；
①
本题解析：试题答案掺杂主要有两种方法，即热扩散和离子注入；
①热扩散：高温环境下，由于热运动杂质原子运动到半导体内部形成一定的分布。主要有两步工艺，即预淀积（恒定表面源扩散）和再分布（有限表面源扩散）；通过在硅表面生成氧化层再进行光刻形成掩蔽膜后可以对特定区域进行掺杂。
②离子注入：将带电的、经过强电场加速具有高能量的杂质离子射入到半导体基片中，再经退火使杂质激活，在半导体内部形成一定的杂质分布。主要过程为：离子源产生注入离子经初聚焦系统聚成离子束射向磁分析器，筛选出所需离子经加速器获得高能量，通过偏束板使带电离子打向靶室的样片上，完成离子注入。对特定区域进行离子注入方式掺杂可以加掩蔽膜也可以不加掩蔽膜。

60、问答题  CMOS集成电路版图设计中，什么是有比例设计和无比例设计，对电学参数有哪些影响？

点击查看答案

本题答案：用电路分别实现二输入与非门：两个N管为串联，两个P管为
本题解析：试题答案用电路分别实现二输入与非门：两个N管为串联，两个P管为并联；假设电路开关特性要求对称，即：上升时间Tr等于下降时间Tf，则版图结构是不对称的，通常称为有比例的版图设计。这就要求NMOS与PMOS的W/L成一定比例，从而影响其沟道电阻和源漏电流。

61、判断题  常用的IC设计方法有全定制设计方法、标准单元设计方法、门阵列设计方法和可编程逻辑电路设计方法等。对于性能要求很高或批量很大的产品，如存储器、微处理器等，一般采用可编程逻辑电路设计方法。

点击查看答案

本题答案：错
本题解析：暂无解析

62、判断题  微电子技术、通信技术和因特网技术构成了信息技术发展的三大基础。

点击查看答案

本题答案：错
本题解析：暂无解析

63、填空题  MOSIC的缺点是（）。

点击查看答案

本题答案：驱动能力较弱
本题解析：试题答案驱动能力较弱

64、名词解释  短沟道效应

点击查看答案

本题答案：沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应，如阈
本题解析：试题答案沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应，如阈值电压的变化。

65、填空题  迁移率反映的是载流子（）在单位电场作用下的平均漂移速度。

点击查看答案

本题答案：电子和空穴
本题解析：试题答案电子和空穴

66、名词解释  “掺杂”

点击查看答案

本题答案：在半导体中加入微量的其他元素的原子，可以改变半导体的导
本题解析：试题答案在半导体中加入微量的其他元素的原子，可以改变半导体的导电能力和导电类型。

67、问答题  解释PN节的单向导电性？

点击查看答案

本题答案：载流子漂移（电流）和扩散（电流）过程保持平衡（相等），
本题解析：试题答案载流子漂移（电流）和扩散（电流）过程保持平衡（相等），形成自建场和自建势在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导电性。

68、问答题 & nbsp;什么是基区宽变效应，基区宽变效应受哪些因素影响？

点击查看答案

本题答案：①基区宽变效应：由于外加电压的变化使有效基区宽度发生变
本题解析：试题答案①基区宽变效应：由于外加电压的变化使有效基区宽度发生变化的现象，又称厄利效应。②要提高厄利电压，减小基区宽变效应的影响，应增大基区宽度，使基区宽变的相对影响变小。另外如果提高基区掺杂浓度，则对于一定的Vce，集电结耗尽层变化较小，也可以减小基区宽变效应的影响，提高厄利电压。但是这两条措施均与增大电流增益的要求冲突，应该综合考虑。

69、填空题  PN结总的电容应该包括势垒电容和（）之和。

点击查看答案

本题答案：扩散电容
本题解析：试题答案扩散电容

70、填空题  在微电子学中的空间尺寸通常是以μm和（）为单位的。

点击查看答案

本题答案：nm
本题解析：试题答案nm

71、名词解释  沟道长度调制效应

点击查看答案

本题答案：当MOSFET进入饱和区时有效沟道长度随漏源电压的变化
本题解析：试题答案当MOSFET进入饱和区时有效沟道长度随漏源电压的变化而变化，从而漏电流略有增加。

72、填空题  N型半导体中电子是多子，空穴是（）。

点击查看答案

本题答案：少子
本题解析：试题答案少子

73、判断题  CMOS电路与双极集成电路相比速度快。

点击查看答案

本题答案：错
本题解析：暂无解析

74、填空题  半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。

点击查看答案

本题答案：二极管
本题解析：试题答案二极管

75、问答题  简单叙述微电子学对人类社会的作用？

点击查看答案

本题答案：可以毫不夸张地说，没有微电子技术的进步，就不可能有今天
本题解析：试题答案可以毫不夸张地说，没有微电子技术的进步，就不可能有今天信息技术的蓬勃发展，微电子已经成为整个信息社会发展的基石。随着微电子的发展，器件的特征尺寸越来越小。

76、填空题  在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。

点击查看答案

本题答案：正向
本题解析：试题答案正向

77、问答题  闩锁效应起因？

点击查看答案

本题答案：由于寄生的可控硅效应引起CMOS电路的电源和地之间的短
本题解析：试题答案由于寄生的可控硅效应引起CMOS电路的电源和地之间的短路，使CMOS集成电路失效。
防止latch-up的方法：
1、使N沟器件远离N阱，减小横向NPN管的b值；但会是芯片面积增大。
2、使Rnwell和Rpsubs尽量小；
使用尽量多的阱接触孔和衬底接触孔；
对于大电流器件使用保护环：
PMOS管周围加接电源的N+保护环；
NMOS管周围加接地的P+保护环；
大多数情况下，通过仔细地设计版图可以消除latch-up。

78、判断题  对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。

点击查看答案

本题答案：对
本题解析：暂无解析

79、问答题  晶体管的基极宽度会影响那些参数？为什么？

点击查看答案

本题答案：①影响电流增益，定性分析Wb越小，基区输运系数越大，从
本题解析：试题答案①影响电流增益，定性分析Wb越小，基区输运系数越大，从而电流增益越大；
②影响基区穿通电压，Wb越小，越容易发生基区穿通现象；
③影响特征频率fT，Wb越小，基区渡越时间越小，从而可提高特征频率；
④影响基区串联电阻Rb，Wb越小，基区串联电阻Rb越大，另外宽基区晶体管不易引起电流集边效应。

80、判断题  如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。

点击查看答案

本题答案：错
本题解析：暂无解析

81、判断题  常用来制造半导体发光二极管的材料是直接跃迁晶体材料。

点击查看答案

本题答案：对
本题解析：暂无解析

82、问答题  简述晶体管的直流工作原理？

点击查看答案

本题答案：根据晶体管的两个PN结的偏置情况晶体管可工作在正向放大
本题解析：试题答案根据晶体管的两个PN结的偏置情况晶体管可工作在正向放大、饱和、截止和反向放大模式。实际运用中主要是正向放大模式，此时发射结正偏，集电结反偏，以NPN晶体管为例说明载流子运动过程；
①射区向基区注入电子；正偏的发射结上以多子扩散为主，发射区向基区注入电子，基区向发射区注入空穴，电子流远大于空穴流；
②基区中自由电子边扩散边复合。电子注入基区后成为非平衡少子，故存在载流子复合，但因基区很薄且不是重掺杂，所以大部分电子能到达集电结边缘；
③集电区收集自由电子：由于集电结反偏，从而将基区扩散来的电子扫入集电区形成电子电流，另外还存在反向饱和电流，主要由集电区空穴组成，但很小，可以忽略。

83、填空题  （）是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。

点击查看答案

本题答案：迁移率
本题解析：试题答案迁移率

84、填空题  PN结的最基本性质之一就是其具有（）。

点击查看答案

本题答案：单向导电性
本题解析：试题答案单向导电性

85、填空题  晶体管的直流特性（）是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线。

点击查看答案

本题答案：曲线
本题解析：试题答案曲线

86、问答题  列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用？

点击查看答案

本题答案：集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、
本题解析：试题答案集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。

题库试看结束后微信扫下方二维码即可打包下载完整版《★电子与通信技术》题库